AGR21090E
90 W, 2.110 GHz—2.170 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics
(continued)
16.50
16.00
15.50
15.00
G
PS
(dB)
S
14.50
14.00
13.50
13.00
12.50
12.00
11.50
1.00
Test Conditions:
V
DD
28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
I
DQ
= 1100 mA
I
DQ
= 950 mA
I
DQ
= 500 mA
I
DQ
= 650 mA
10.00
P
OUT
(W) PEPZ
I
DQ
= 800 mA
100.00
Figure 4. Two-Tone Power Gain vs. Output Power and I
DQ
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
IMD3 (dBc)Z
-40.00
-45.00
-50.00
-55.00
-60.00
-65.00
-70.00
1.00
Test Conditions:
V
DD
28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz.
Two-tone measurement, 10 MHz tone spacing.
I
DQ
= 500 mA
I
DQ
= 650 mA
I
DQ
= 1100 mA
I
DQ
= 800 mA
10.00
P
OUT
(W) PEPZ
I
DQ
= 950 mA
100.00
1000.00
Figure 5. IMD3 vs. Output Power and I
DQ
TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
