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    AGR19090E 参数 Datasheet PDF下载

    AGR19090E图片预览
    型号： AGR19090E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 90 W， 1930兆赫， 1990兆赫， PCS LDMOS RF功率晶体管 [90 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管过程控制系统PCS
    文件页数/大小： 10 页 / 369 K
    品牌： TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AGR19090E的Datasheet PDF文件第9页  
    AGR19090E  
    —1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor  
    90 W, 1930 MHz  
    Typical Performance Characteristics  
    Z0 = 10 Ω  
    RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)  
    f3  
    f1  
    ZL  
    f1  
    f3  
    ZS  
    - 9 0  
    MHz (f)  
    ZS Ω  
    ZL Ω  
    (Complex Source Impedance)  
    (Complex Optimum Load Impedance)  
    1930 (f1)  
    1960 (f2)  
    1990 (f3)  
    2.16 – j2.62  
    2.51 – j0.83  
    2.50 – j0.82  
    2.38 – j0.80  
    2.44 – j2.57  
    2.49 – j2.76  
    Note: ZL was chosen based on trade-offs between gain, output power, drain efficiency, and intermodulation distortion.  
    DRAIN (1)  
    GATE (2)  
    ZS  
    ZL  
    SOURCE (3)  
    INPUT MATCH  
    OUTPUT MATCH  
    DUT  
    Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances  

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