欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AGR19045EF 参数 Datasheet PDF下载

AGR19045EF图片预览
型号: AGR19045EF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 45 W, 1930兆赫, 1990兆赫, PCS LDMOS RF功率晶体管 [45 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管过程控制系统PCS放大器局域网
文件页数/大小: 10 页 / 335 K
品牌: TRIQUINT [ TRIQUINT SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第9页浏览型号AGR19045EF的Datasheet PDF文件第10页  
AGR19045EF
45 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics
(continued)
-35
-40
-45
AC (dBc)Z
PR
-50
I
D
= 400 mA
Q
-55
-60
-65
-70
I
D
= 700 mA
Q
I
D
= 600 mA
Q
I
D
= 550 mA
Q
I
D
= 300 mA
Q
I
D
= 500 mA
Q
30
35
P
OU
(dBm)Z
T
40
45
Test Conditions:
V
DD
= 28 V
DC
,
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz, 2-carrier N-CDMA measurement.
Figure 8. ACPR vs. P
OUT
-2
0
-2
5
-3
0
IM (d c)Z
3 B
-3
5
-4
0
I
D
= 3 0 m
0 A
Q
I
D
= 4 0 m
0 A
Q
I
D
= 7 0 m
0 A
Q
-4
5
-5
0
I
D
= 5 0 m
0 A
Q
-5
5
3
0
I
D
= 6 0 m
0 A
Q
I
D
= 5 0 m
5 A
Q
3
5
P
U
(d m
O T
B )Z
4
0
4
5
Test Conditions:
V
DD
= 28 V
DC
,
f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz, 2-carrier N-CDMA measurement.
Figure 9. IM3 vs. P
OUT