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TC1606N 参数 Datasheet PDF下载

TC1606N图片预览
型号: TC1606N
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内容描述: 2W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管 [2W High Linearity and High Efficiency GaAs Power FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 67 K
品牌: TRANSCOM [ TRANSCOM, INC. ]
 浏览型号TC1606N的Datasheet PDF文件第1页  
TC1606N
REV4_20070502
绝对最大额定值(T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
RF输入功率, CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
12.0 V
-5.0 V
I
DSS
30 dBm的
7.7 W
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
芯片尺寸
1060
!
12
D
D
D
D
单位:千分尺
门垫: 76.0 X 59.5
470
!
12
芯片厚度: 50
漏极焊盘: 86.0 X 76.0
S
G
S
G
S
G
S
G
S
切片处理
芯片连接:
导电环氧或共晶芯片附着建议。共晶芯片附着能
在舞台下完成与金锡( 80 %的Au- 20 % Sn)的执行: 290℃
±
5 ℃;搬运工具:镊子;
时间:小于1分钟。
引线键合:
推荐的金属丝键合方法是热压粘合与0.7至1.0密耳
( 0.018 〜0.025 MM)的金线。阶段的温度:220℃ 〜250℃ ;焊头温度: 150 ℃;粘结力:
20〜 30克取决于电线焊接头温度的大小。
操作注意事项:
用户必须操作在一个干净,干燥的环境中。应当慎重
操作过程中避免对设备造成损坏。静电放电( ESD)预防措施应在所有观察
仓储,装卸,组装和测试阶段。静电放电必须小于300V 。
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网址:
www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
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