TC1606N
REV4_20070502
2W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管
特点
!
2W典型功率在6 GHz
!
线性功率增益：摹
L
= 8 dB（典型）在6GHz
!
高线性度： IP3 = 43 dBm的典型在6GHz
!
非通孔源的自偏置应用
!
适用于高可靠性的应用
!
击穿电压： BV
DGO
≥
18 V
!
LG = 0.6
µm,
WG = 5毫米
PHOTO扩建
!
高功率附加效率： 43％额定PAE在6GHz
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100％的直流测试
描述
该TC1606N是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）砷化镓功率场效应管，其
具有高线性度和高功率附加效率。该装置无需通孔为自偏压处理
应用程序。长的栅极长度，使该设备具有高的击穿电压。所有器件100 ％的直流
经过测试，以保证稳定的质量。
键合焊盘镀金为任一热压或热 - 超音
引线接合。背面镀金与标准的金锡芯片粘结相兼容。典型的应用包括：
商用和军用高性能功率放大器。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
线性功率增益，
f
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
= 6 GHz的
民
32.5
典型值
33
8
43
43
1.2
850
-1.7**
18
22
8
最大
单位
DBM
dB
DBM
dB
A
mS
伏
伏
° C / W
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安， * P
SCL
= 20 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
热阻
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 2.5毫安
注意：
* P
SCL
：单载波电平的输出功率。
*对于夹断电压的严格控制。 TC1606N的被分为3组：
(1)
TC1606NP1519
： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ）
TC1606NP1620
： VP = -1.6V至-2.0V
（3） TC1606NP1721 ： VP = -1.7V至-2.1V此外，客户可以指定他们的要求。
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th
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