XP161A02A1PR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP161A02A1PR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET的低导通电阻和超高速开关特性。 [N-Channel Power MOS FET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 145 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP161A02A1PR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

4.5V

2.5V

脉冲测试， TA = 25 ：

漏电流与栅源电压

范围Topr = 25 ℃

脉冲测试， VDS = 10V

3.5V

漏电流： ID（ A）

-55 ℃

125 ℃

Vgs＝1.5V

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.2

脉冲测试， TA = 25 ：

漏源导通电阻

与漏电流

脉冲测试， TA = 25 ：

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.15

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝2.5V

0.1

4.5V

0.1

Id＝1.5A

0.05

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.3

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

VDS = 10V ，ID = 1毫安

门源截止电压方差

VGS （OFF ）方差（V ）

0.5

0.2

Id＝3A

1.5A

Vgs＝2.5V

0.1

1.5A,3A

4.5V

-60

-30

120

150

-0.5

-1

-60

-30

120

150

环境温度：范围Topr （ :)

环境温度。 TOPR （ :)

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