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XP161A02A1PR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP161A02A1PR
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内容描述: N沟道功率MOS FET的低导通电阻和超高速开关特性。 [N-Channel Power MOS FET with low on-state resistance and ultra high-speed switching characteristics.]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 4 页 / 145 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP161A02A1PR
.Electrical特点
DC特性
参数
排水截止电流
栅极 - 源极漏电流
栅极 - 源极截止电压
漏极 - 源极导通状态
电阻(注)
正向转移导纳
(注)
续流保护二极管
正向电压
注:脉冲测试期间有效。
TA = 25 :
符号
IDSS
IGSS
VGS (关闭)
RDS ( ON)
YFS
Vf
条件
VDS = 20V , VGS = 0V
VGS = ± 12V , VDS = 0V
ID = 1mA时, VDS = 10V
ID = 1.5A , VGS = 4.5V
ID = 1.5A , VGS = 2.5V
ID = 1.5A , VDS = 10V
如果是3A , VGS = 0V
典型值
最大
10
±10
0.7
0.08
0.13
5
0.85
1.1
0.11
0.17
单位
µA
µA
V
S
V
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
符号
西塞
科斯
CRSS
条件
VDS = 10V , VGS = 0V
f=1MHz
典型值
300
170
60
最大
TA = 25 :
单位
pF
pF
pF
开关特性
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
VGS = 5V ,ID = 1.5A
Vdd=10V
条件
典型值
10
15
45
35
最大
TA = 25 :
单位
ns
ns
ns
ns
热特性
参数
热阻
(信道环境)
符号
RTH ( CH -A )
条件
实现在陶瓷PCB
典型值
62.5
最大
单位
:/W
11
855