XP151A02BOMR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP151A02BOMR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET的低导通电阻和超高速开关特性。 [N-Channel Power MOS FET with low on-state resistance and ultra High-Speed Switching Characteristics.]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP151A02B0MR

■

XP151A02B0MR特点

漏

电流与漏极/源极电压

2.5

2.0

4.5V

3.5V

2.5V

功率MOS FET

漏极电流与栅极/源极电压

2.5

脉冲测试， VDS = 10V

脉冲测试， TA = 25 ：

2.0

漏电流： ID（ A）

1.5

漏

电流： ID（ A）

1.5

1.0

Topr＝25℃

0.5

125℃

0.0

-55℃

0.5

Vgs＝1.5V

0.0

漏/源

电压Vds的（V ）

栅极/源极

电压：栅极电压（V ）

漏极/源极导通电阻与栅极/源极电压

0.5

脉冲测试， TA = 25 ：

漏/源通态电阻与漏电流

脉冲测试， TA = 25 ：

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.4

0.3

Id＝0.4A

0.2

0.8A

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs＝2.5V

0.1

4.5V

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏/源通态电阻与环境温度。

0.5

脉冲测试

栅/源截止电压变异与环境温度。

0.6

VDS = 10V ，ID = 1毫安

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

0.4

Id＝0.8A

Vgs＝2.5V

0.2

0.4A,0.8A

0.1

4.5V

-60

-30

120

150

0.4A

0.4

0.2

-0.2

0.3

-0.4

-0.6

-60

-30

120

150

环境温度：范围Topr （

)

环境

温度：范围Topr （

)

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