XP151A02BOMR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP151A02BOMR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET的低导通电阻和超高速开关特性。 [N-Channel Power MOS FET with low on-state resistance and ultra High-Speed Switching Characteristics.]
分类和应用：	开关
文件页数/大小：	4 页 / 56 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP151A02B0MR

功率MOS FET

N沟道功率MOS FET

DMOS结构

低导通电阻： 0.2Ω最大

超高速开关

SOT- 23封装

应用

笔记本电脑

携带电话

板载电源

锂离子电池系统

概述

该XP151A02B0MR是一个N沟道功率MOS FET的低通态

电阻和超高速开关特性。

因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置

从而节省了能源。

小型SOT -23封装，使高密度安装成为可能。

特点

低通态电阻：

Rds(on)=0.2Ω(Vgs=4.5V)

Rds(on)=0.32Ω(Vgs=2.5V)

超高速开关

工作电压：

2.5V

高密度安装：

SOT-23

引脚配置

引脚分配

针

数

针

名字

功能

门

来源

漏

SOT-23

（ TOP VIEW ）

等效电路

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

反向漏电流

符号

VDSS

VGSS

IDP

IDR

总胆固醇

TSTG

评级

±12

0.8

2.5

0.8

0.5

150

-55~150

TA = 25 ：

单位

连续通道

功耗（注）

通道温度

储存温度

N沟道MOS FET

（ 1装置内置）

注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施

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