■
电气特性（ N沟道功率MOS FET ）
电容与漏极/源极电压
1
0000
VGS = 0V ， F = 1MHz时， TA = 25 ℃
开关时间与漏电流
1000
VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10μs的， duty≤1 ％ ，TA = 25 ℃
开关时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
1000
西塞
科斯
CRSS
100
tf
TD （关闭）
tr
100
10
TD （上）
10
0
5
10
15
20
25
30
1
0
2
4
6
8
10
漏/源极电压： Vds的（V ）
漏电流： ID（ A）
栅极/源极电压与栅极电荷
-10
VDS = 10V ，ID = 7A ，TA = 25 ℃
反向漏电流与源极/漏极电压
-16
TA = 25 ℃时，脉冲测试
-8
反向漏电流： Im额定（A）
栅极/源极电压：栅极电压（V ）
-12
u
-4.5V
-6
-8
-4
-4
Vgs＝0V,4.5V
-2
0
0
5
10
15
20
25
0
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
-1.2
栅极电荷：的Qg （ NC ）
源极/漏极电压： VSD （V ）
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡热电阻： γS （ T）
RTH （ CH- A）= 62.5 ℃ / W ， （实现在陶瓷PCB ）
10
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度： PW （ S）
441
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
