XP135A1145SR
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N沟道/ P沟道功率MOS FET
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DMOS结构
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低导通电阻: 0.045
Ω
MAX( N沟道)
0.110
Ω
最大值( P沟道)
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超高速开关
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SOP - 8封装
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两个FET器件内置
功率MOS FET
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●
●
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
■
概述
该XP135A1145SR是一个N沟道/ P沟道功率MOS FET
具有低通态电阻和超高速开关
的特点。
两个FET器件都内置入一个包。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地
置,从而节省能源。
小型SOP -8封装,使高密度安装成为可能。
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特点
低通态电阻( N沟道) :
RDS(ON) = 0.033Ω ( VGS = 10V )
RDS(ON) = 0.045Ω ( VGS = 4.5V )
低通态电阻( PCH) :
RDS(ON) = 0.065Ω ( VGS = -10V )
RDS(ON) = 0.110Ω ( VGS = -4.5V )
超高速开关
工作电压:
4.5V ( NCH) : -4.5V ( PCH)
高密度安装:
SOP - 8
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引脚配置
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D1
D1
D2
D2
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引脚分配
引脚数
1
2
3
4
5 - 6
7 - 8
引脚名称
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
源( N沟道)
门( N沟道)
源( PCH)
栅极( P沟道)
漏极( P沟道)
漏极( N沟道)
u
SOP - 8顶视图
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等效电路
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绝对最大额定值
Ta=25
O
C
评级
NCH
30
±20
6
20
6
2
150
- 55〜 150
PCH
- 30
±20
-4
- 16
-4
1
2
3
4
8
7
6
5
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
功耗(注)
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
单位
V
V
A
A
A
W
O
N沟道/ P - 沟道MOS FET
( 2装置内置)
C
C
O
(注释) :当在玻璃环氧印刷电路板实施
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