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XP134A02A1SR 参数 Datasheet PDF下载

XP134A02A1SR图片预览
型号: XP134A02A1SR
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内容描述: P沟道功率MOS FET [P-Channel Power MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 150 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP134A02A1SR
■典型性能特征
漏极电流与漏源电压
脉冲测试, TA = 25 :
-12
-3.5V
-10
-5V
-4.5V
-4V
-2.5V
-6
-4
-2V
-2
Vgs=-1.5V
0
0
-1
-2
-3
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
-3V
-10
-12
漏电流与栅源电压
脉冲测试, VDS = -10V
漏电流: ID( A)
漏电流: ID( A)
Topr=25℃
-8
-55℃
-6
-4
125℃
-8
-2
漏源电压: Vds的(V )
栅源电压:栅极电压(V )
漏源导通电阻
与栅源电压
0.4
脉冲测试, TA = 25 :
1
漏源导通电阻
与漏电流
脉冲测试, TA = 25 :
漏源导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
0.3
漏源导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
Vgs=-2.5V
0.1
-4.5V
Id=-2A
0.2
-4A
0.1
0
0
-2
-4
-6
-8
-10
0.01
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
栅源电压:栅极电压(V )
漏电流: ID( A)
漏源导通电阻
- 环境温度
0.4
脉冲测试
0.6
门源截止电压方差
- 环境温度
VDS = -10V ,ID = -1mA
11
门源截止电压方差
:栅极电压(关)方差(V )
120
150
漏源导通电阻
: RDS(ON) ( Ω )
0.4
0.2
0
-0.2
0.3
0.2
Vgs=-2.5V
Id=-4A
-2A
0.1
-2A,-4A
-4.5V
0
-60
-30
0
30
60
90
-0.4
-0.6
-60
-30
0
30
60
90
120
150
环境温度:范围Topr ( :)
环境温度:范围Topr ( :)
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