功率MOS FET
NP-通道
功率MOS FET
NDMOS
结构
N低
导通状态电阻： 0.11Ω （最大）
NUltra
高速开关
NSOP-8
包
NTwo
场效应器件内置
■应用
GNotebook
个
GCellular
和手提电话
坤板
电源
GLI离子
电池系统
■概述
该XP134A02A1SR是P沟道功率MOS FET的低通态
态电阻和超高速开关特性。
两个FET器件内置在一个封装中。
因为高速切换是可能的，该IC可以有效地设置
从而节省了能源。
小型SOP -8封装，使高密度安装成为可能。
■特点
低通态电阻
： RDS（ON） = 0.11Ω （ VGS = -4.5V ）
： RDS（ON） = 0.2Ω （ VGS = -2.5V ）
超高速开关
工作电压
: -2.5V
高密度安装
： SOP- 8
■引脚CON组fi guration
S1
1
G1
2
S2
3
G2
4
SOP-8
（ TOP VIEW ）
■引脚分配
针
数
1
2
3
4
5~6
7~8
针
名字
S1
G1
S2
G2
D2
D1
功能
来源
门
来源
门
漏
漏
8
D1
7
D1
6
D2
5
D2
11
TA = 25 ：
单位
V
V
A
A
A
W
:
:
■等效电路
1
2
3
4
8
7
6
.Absolute最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
-20
±12
-4
-12
-4
2
150
-55~150
5
漏电流（脉冲）
反向漏电流
P沟道MOS场效应管
（ 2装置内置）
连续通道
功耗（注）
通道温度
储存温度
注意：当在玻璃环氧印刷电路板实施
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TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
