XP132A11A1SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP132A11A1SR
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内容描述：	功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 62 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

■

电气特性

漏电流比。漏/源极电压

-20

-10V

-5V

脉冲测试， TA = 25 ℃

漏电流比。栅极/源极电压

-20

VDS = -10V ，脉冲测试

-4.5V

25℃

-16

漏电流： ID（ A）

-4V

Ta=-55℃

-12

-3.5V

-12

125℃

-8

-3V

-4

Vgs=-2.5V

-4

-1

-2

-3

-4

-5

-1

-2

-3

-4

-5

漏/源极电压： Vds的（V ）

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏极/源极导通电阻

与栅极/源极电压

0.3

脉冲测试， TA = 25 ℃

漏极/源极导通电阻

与漏电流

脉冲测试， TA = 25 ℃

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.25

0.2

Id=-5A

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

Vgs=-4.5V

0.15

-3A

0.1

-10V

0.1

0.05

-2

-4

-6

-8

-10

0.01

-5

-10

-15

-20

栅极/源极电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏极/源极导通电阻

- 环境温度

栅/源截止电压差异

：栅极电压（关）方差（V ）

0.3

脉冲测试

栅/源截止电压差异

- 环境温度

0.8

0.6

0.4

0.2

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

VDS = -10V ，ID = -1mA

漏极/源极导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.25

0.2

0.15

Vgs=-4.5V

Id=-5A

-3A

0.1

0.05

-10V

-3A, -5A

-50

100

150

-50

100

150

环境温度。：范围Topr （ ℃ ）

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