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XP132A11A1SR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP132A11A1SR
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内容描述: 功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP132A11A1SR
P沟道功率MOS FET
DMOS结构
低导通电阻: 0.11
(最大)
超高速开关
SOP - 8封装
功率MOS FET
应用
笔记本电脑
携带电话
上 - 板电源
锂 - 离子电池系统
概述
该XP132A11A1SR是P沟道功率MOS FET的低通态
电阻和超高速开关特性。
因为高速切换是可能的,该IC可以有效地
置,从而节省能源。
小型SOP -8封装,使高密度安装成为可能。
特点
低导通电阻:
RDS(ON) = 0.065Ω ( VGS = -10V )
RDS(ON) = 0.11Ω ( VGS = -4.5V )
超高速开关
工作电压:
-4.5V
高密度安装:
SOP - 8
引脚配置
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
引脚分配
引脚数
1-3
4
5-8
引脚名称
S
G
D
功能
来源
u
SOP - 8顶视图
等效电路
绝对最大额定值
Ta=25
O
C
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
反向漏电流
连续通道
功耗(注)
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
Id
IDP
IDR
Pd
总胆固醇
TSTG
评级
- 30
+ 20
-5
- 20
-5
2.5
150
- 55〜 150
单位
V
V
A
A
A
W
O
1
2
3
4
8
7
6
5
C
C
O
P - 沟道MOS FET
( 1装置内置)
(注释) :当在玻璃环氧印刷电路板实施
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