XP131A0150SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP131A0150SR
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内容描述：	功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 162 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP131A0150SR

电容与漏源电压

10000

VGS = 0VHz ， F = 1MHz的

1000

开关时间与漏电流

VGS = 5V时，VDD ≒ 10V ， PW = 10微秒。占空比≦ 1％

开关时间： T（ NS ）

电容：C （PF ）

1000

西塞

科斯

100

（关闭）

（上）

CRSS

100

0.1

漏源电压： Vds的（V ）

漏电流： ID（ A）

栅源电压与栅极电荷

VDS = 10V ，ID = 7A

反向漏电流

与源极 - 漏极电压

脉冲测试

栅源电压：栅极电压（V ）

反向漏电流： ID（ A）

Vgs＝4.5V

0,−4.5V

0.2

0.4

0.6

0.8

栅极电荷：的Qg （ NC ）

源极 - 漏极电压： VSD （V ）

标准化过渡热电阻： γS （ T）

0.1

界面标准过渡热电阻与脉冲宽度

第r （ CH-A ） = 50℃ / W，（实现在玻璃环氧印刷电路板）

单脉冲

0.01

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度： PW （秒）

718

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