XP131A0150SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP131A0150SR
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内容描述：	功率MOS FET [Power MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 162 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP131A0150SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

10V

脉冲测试，TA = 25℃

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

漏电流： ID（ A）

3.5V

漏电流： ID（ A）

4.5V

Topr＝25℃

125℃

-55℃

Vgs＝2.5V

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与漏电流

0.1

脉冲测试，TA = 25℃

0.1

漏源导通电阻

与栅源电压

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.08

Id＝4A

0.06

Vgs＝4.5V

10V

0.04

0.02

0.01

漏电流： ID（ A）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

- 环境温度

0.1

脉冲测试

1.0

门源截止电压方差

- 环境温度

VDS = 10V ，ID = 1毫安

0.08

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

120

150

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.5

0.06

Vgs＝4.5V

0.04

Id＝7A

4A,7A

0.0

0.02

10V

-0.5

-60

-30

-1.0

-60

-30

120

150

周围温度：范围Topr （℃）

717

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