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XP131A0526SR 参数 Datasheet PDF下载

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型号: XP131A0526SR
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内容描述: N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 180 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XP131A0526SR
电容与漏源电压
10000
VGS = 0V , F = 1MHz的
1000
开关时间与漏电流
VGS = 5V时,VDD ≒ 10V , PW = 10微秒。占空比≦ 1%
开关时间: T( NS )
电容:C (PF )
tf
西塞
1000
科斯
100
TD (关闭)
CRSS
tr
TD (上)
100
0
5
10
15
20
25
30
10
0.1
1
10
漏源电压: Vds的(V )
漏电流: ID( A)
栅源电压与栅极电荷
10
VDS = 10V ,ID = 10A
30
25
20
反向漏电流
与源极 - 漏极电压
脉冲测试
栅源电压:栅极电压(V )
8
6
反向漏电流: ID( A)
Vgs=4.5V
15
10
5
0
0,-4.5V
4
2
0
0
10
20
30
40
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
栅极电荷:的Qg ( NC )
源极 - 漏极电压: VSD (V )
界面标准过渡热电阻与脉冲宽度
标准化过渡​​热电阻: γS ( T)
10
第r ( CH-A ) = 50℃ / W, (实现在玻璃环氧印刷电路板)
11
1
单脉冲
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度: PW (秒)
726