XP131A0526SR 参数 Datasheet PDF下载

型号：	XP131A0526SR
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内容描述：	N沟道功率MOS FET [N-Channel Power MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 180 K
品牌：	TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]

XP131A0526SR

■典型性能特征

漏极电流与漏源电压

脉冲测试，TA = 25℃

10V

4.5V

Vgs＝2.5V

漏电流与栅源电压

脉冲测试， VDS = 10V

3.5V

漏电流： ID（ A）

范围Topr = 25 ℃

125 ℃

-55 ℃

漏源电压： Vds的（V ）

栅源电压：栅极电压（V ）

漏源导通电阻

与栅源电压

0.05

脉冲测试，TA = 25℃

0.1

漏源导通电阻

与漏电流

脉冲测试，TA = 25℃

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.04

Id＝5A

0.03

10A

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.02

Vgs＝4.5V

0.01

10V

0.01

栅源电压：栅极电压（V ）

漏电流： ID（ A）

漏源导通电阻

- 环境温度

门源截止电压方差

：栅极电压（关）方差（V ）

0.05

脉冲测试

门源截止电压方差

- 环境温度

VDS = 10V ，ID = 1毫安

漏源导通电阻

： RDS（ON）（ Ω ）

0.04

0.5

0.03

Vgs＝4.5V

0.02

Id＝10A

5A,10A

0.01

10V

-60

-30

120

150

-0.5

-1

-60

-30

120

150

周围温度：范围Topr （℃）

725

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