XC9503系列
双声道。降压型DC / DC控制器IC
<Setting输出Voltage>的
输出电压可通过外接分流电阻器来设定。输出电压由下面的公式确定的，根据
RFB11 （ RFB21 ）和RFB12 （ RFB22 ）的值。 RFB11 （ RFB21 ）和RFB12 （ RFB22 ）的总和，通常应该是1M的
Ω
or
V
OUT
=0.9
×
（ RFB11 + RFB12 ） / RFB12
CFB1 （ CFB2 ） ，加速相位补偿用电容器的值时，应fzfb = 1 /（ 2
× π ×
CFB1
×
RFB11 ），其是
等于12kHz的。调整是需要从1kHz至50kHz的取决于应用，电感值（L） ，和值
的负载容量（CL） 。
[计算例]
当RFB11 = 200kΩ的和RFB12 = 75KΩ ，V
OUT1
=0.9
×
（ 200K + 75K ） / 75K = 3.3V 。
[典型实例]
RFB11
RFB12
RFB11
V
OUT
CFB1
V
OUT
(V)
（PF ）
(V)
(kΩ)
(kΩ)
(kΩ)
1.0
1.5
1.8
2.0
2.2
30
220
220
330
390
270
330
220
270
270
430
62
62
39
33
2.5
2.7
3.0
3.3
5.0
390
360
560
200
82
RFB12
(kΩ)
220
180
240
75
18
CFB1
（PF ）
33
33
24
62
160
同样的方法可以用于信道2也被采用。
[外部元件]
TR ：
* MOSFET
XP162A12A6P
（ TOREX P沟道功率MOSFET ）
注：该交易宗VGS击穿电压。为12V
所以请小心使用电源电压。
MA2Q737
（肖特基，松下）
CMS02
（肖特基， TOSHIBA ）
10µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 500kHz的）
22µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 300kHz的）
22µH
（胜美达， CDRH5D28 ， FOSC = 180kHz ）
16V ， 47μF
（钽）
根据下面的方程增加容量
当升压电压比大，输出
电流是高的。
C = （ CL标准值） × （ IOUT （MA ） / 500毫安× VOUT / VIN
SD ：
L:
CL ：
TR ：
RB ：
* PNP MOSFET
生产的2SA1213 （ SANYO ）
500Ω
（调整根据负载& Tr的。的HFE ）。
根据下面的公式设定。
RB
≤
（ VIN - 0.7 ）× hFE参数/ I
C
-R
EXTBH
2200pF （陶瓷）
根据下面的公式设定。
CB
≤
(2
π
X RB X FOSC ×0.7 ）
CB ：
相同的组件可以为通道1和通道2被采纳。
8
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
