XC9503系列
电气特性
共同特征
参数
电源电压
马克斯。输入电压
输出电压范围
（注1 ）
电源电流1
符号
VDD
VIN
VOUTSET
IDD1
VIN
≥
2.0V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
双声道。降压型DC / DC控制器IC
XC9503B095A
Ta=25
O
C
条件
分钟。
2.0
10.0
0.9
0.9
-
-
-
-
-
425
0.65
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
90
80
100
100
1.0
500
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10.0
-
10.0
10.0
170
150
180
190
3.0
575
-
0.20
0.50
-0.50
0.50
-0.50
0.50
-0.50
单位
V
V
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
千赫
V
V
µA
µA
µA
µA
µA
µA
TEST
电路
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
VOUT1
VOUT2
FB1 ，2 = 0V
EN1 = 3.0V ， EN2 = 0V ， FB1 = 0V
电源电流1-1
IDD1-1
EN2 = 3.0V ， EN1 = 0V ， FB2 = 0V
FB1 = 0V ， FB2 = 1.0V
电源电流1-2
IDD1-2
FB1 = 1.0V ， FB2 = 0V
电源电流2
IDD2
FB1 ， 2 = 1.0V
待机电流
Istb
同IDD1 ， EN1 = EN2 = 0V
开关频率
FOSC
同IDD1
EN1,2 "High"电压
Venh
FB1,2=0V
EN1,2 "Low"电压
Venl
FB1,2=0V
EN1,2 "High"电流
IENH
EN1,2=3.0V
IENL
EN1,2 = 0V ， FB1,2 = 3.0V
EN1,2 "Low"电流
PWM1,2 "High"电流
IPWMH FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 3.0V
PWM1,2 "Low"电流
ipwml
FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 0V
FB1,2 "High"电流
IFBH
FB1 ，2 = 3.0V
FB1,2 "Low"电流
VFBL
FB1 ， 2 = 1.0V
除非另有说明， VDD = 3.0V ， PWM1,2 = 3.0V ， EN1 ， 2 = 3.0V
1输出特性
参数
FB1电压
最低工作电压
最大占空比1
最小占空比比1
PFM占空比1
效率1 （注2 ）
符号
VFB1
VINmin1
MAXDTY1
MINDTY1
PFMDTY1
EFFI1
降压控制器
条件
VIN = 3.0V ， IOUT1 = 10毫安
同IDD1
同IDD2
无负载， VPWM1 = 0V
IOUT1=250mA
P沟道MOSFET ： XP162A12A6P
VOUT1
×
0.95V ， EN1 = 0V → 0.65V
分钟。
0.882
-
100
-
22
-
典型值。
0.900
-
-
-
30
91
马克斯。
0.918
2.0
-
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
单位
V
V
%
%
%
%
mS
Ω
Ω
V
V
TEST
电路
3
1
2
2
4
4
4
5
5
4
4
10.0
软启动时间1
TSS1
5.0
EXT1 "High"导通电阻REXTBH1 EN1 = 0 ，外部1 = VDD - 0.4V
-
28
EXT1 "Low"导通电阻
REXTBL1 FB2 = 0V ， EXT1 = 0.4V
-
22
PWM1 "High"电压
VPWMH1空载
0.65
-
PWM1 "Low"电压
VPWML1空载
-
-
除非另有说明， VDD = EN1 = PWM1 = 3.0V ， PWM2 = EN2 = GND ， EXT2 = OPEN ， FB2 = OPEN ， VIN = 5.0V
输出特性2
参数
FB2电压
最低工作电压
最大占空比2
最小负荷比2
PFM占空比2
Efficiency2 （注2）
符号
VFB2
VINmin2
MAXDTY2
MINDTY2
PFMDTY2
EFFI2
降压控制器
条件
VIN = 3.0V ， IOUT2 = 10毫安
同IDD1
同IDD2
无负载， VPWM2 = 0V
IOUT2=250mA
P沟道MOSFET ： XP162A12A6P
VOUT2
×
0.95V ， EN2 = 0V → 0.65V
分钟。
0.882
-
100
-
22
-
典型值。
0.900
-
-
-
30
91
马克斯。
0.918
2.0
-
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
单位
V
V
%
%
%
%
mS
Ω
Ω
V
V
TEST
电路
6
1
2
2
7
7
7
5
5
7
7
10.0
软启动时间2
TSS2
5.0
28
EXT2 "High"导通电阻REXTBH2 EN2 = 0 ， EXT2 = VDD - 0.4V
-
EXT2 "Low"导通电阻
REXTBL2 FB2 = 0V ， EXT2 = 0.4V
-
22
PWM2 "High"电压
VPWMH2空载
0.65
-
PWM2 "Low"电压
VPWML2空载
-
-
除非另有说明， VDD = EN2 = PWM2 = 3.0V ， PWM1 = EN1 = GND ，外部1 = OPEN ， FB1 = OPEN ， VIN = 5.0V
笔记
1 ）请注意不要超过周边零件的击穿电压水平。
2） EFFI = {[ （输出电压）×（输出电流） ] / [ （输入电压）×（输入电流） ] }×100
6
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
