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XC651A1004VR 参数 Datasheet PDF下载

XC651A1004VR图片预览
型号: XC651A1004VR
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内容描述: CMOS低功耗 [CMOS Low Power Consumption]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 206 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XC651A
系列
3. VD 1
参数
检测电压VD1
迟滞宽度VD1
电源电流
工作电压
输出电流V
DET
1
V
DET
1 L
水平延迟时间
V
DF
1=1.5V
Ta=25
O
C
条件
典型值
最大
单位
V
%
µA
V
mA
毫秒
电路
5
5
6
-
7
8
符号
V
DF
1
V
HYS
1
I
SS
1
V
IN
1
I
OUT
1
T
LH
1
1.470 1.500 1.530
(释放电压= V
DF
1× (1 + V
HYS
1 / 100) )
V
IN
1=2.0V
2
-
0.7
N沟道VDS = 0.5V ,V
IN
1=0.9V
CD=3.3
µF,
V
IN
1=V
DF
1 x 0.9
V
DF
1 x 1.1
0.22
500
-
1.5
-
2.2
1000
8
3.0
6.0
-
2000
V
DET
1 H
L延迟时间
T
HL
1
CD=3.3
µF,
V
IN
1=V
DF
1 x 1.1
V
DF
1 x 0.9
20
50
100
毫秒
8
4. VD 2
参数
检测电压VD2
迟滞宽度VD2
电源电流
工作电压
输出电流V
DET2
延迟时间V
DET2
V
DF
2=0.95V
Ta=25
O
C
条件
典型值
最大
单位
V
%
µA
V
mA
毫秒
电路
5
5
6
-
7
8
符号
V
DF
2
V
HYS
2
I
SS
2
V
IN
2
I
OUT
2
T
DLY
2
0.931 0.950 0.969
(释放电压= V
DF
2× (1 + V
HYS
2 / 100) )
V
IN
2 =2.0V
2
-
0.7
N沟道V
DS
=0.5V, V 2=0.9V
IN
释放电压
输出反转
0.18
-
-
1.5
-
1.8
-
8
3.0
6.0
-
0.2
10
677