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XC651A1004VR 参数 Datasheet PDF下载

XC651A1004VR图片预览
型号: XC651A1004VR
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内容描述: CMOS低功耗 [CMOS Low Power Consumption]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 206 K
品牌: TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
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XC651A
系列
2. MWVD (正逻辑)
参数
MW
OUT
1检测电压
MW
OUT
2检测电压
MW
OUT
3检测电压
MW
OUT
4检测电压
MW
OUT
1滞后宽度
MW
OUT
2迟滞宽度
MW
OUT
3滞后幅度
MW
OUT
4迟滞宽度
电源电流
工作电压
MW
OUT
1输出电流
MW
OUT
2输出电流
MW
OUT
3输出电流
MW
OUT
4输出电流
MW
OUT
1延迟时间
MW
OUT
2延迟时间
MW
OUT
3延迟时间
MW
OUT
4延迟时间
纹波抑制性
符号
V
DFMW
1
V
DFMW
2
V
DFMW
3
V
DFMW
4
V
HYSMW
1 (释放电压= V
DFMW
1 + V
HYSMW
1 )
V
HYSMW
2 (释放电压= V
DFMW
2 + V
HYSMW
2
)
V
HYSMW
3 (释放电压= V
DFMW
3 + V
HYSMW
3
)
V
HYSMW
4 (解除电压= V
DFMW
4 ×(1 + V
HYSMW
4 / 100) )
I
SSMW
MWVD
IN
I
OUTMW
1
I
OUTMW
2
I
OUTMW
3
I
OUTMW
4
T
DLYMW
1
T
DLYMW
2
T
DLYMW
3
T
DLYMW
4
R
愿(死者)安息
N沟道V
DS
= 0.5V , MWVD
IN
=0.9V
N沟道V
DS
= 0.5V , MWVD
IN
=0.9V
N沟道V
DS
= 0.5V , MWVD
IN
=0.9V
N沟道V
DS
= 0.5V , MWVD
IN
=0.9V
释放电压
释放电压
释放电压
释放电压
RIP = 1V , MWVD
IN
=0V
输出反转,撕开
输出反转,撕开
输出反转,撕开
输出反转,撕开
MWVD
IN
=2.0V
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
V
mV
mV
mV
%
µA
V
mA
mA
mA
mA
毫秒
毫秒
毫秒
毫秒
kΩ
1.250 1.275 1.301
1.220 1.245 1.270
1.186 1.210 1.234
1.039 1.060 1.081
4
4
4
2
-
0.9
0.18
0.18
0.18
0.18
-
-
-
-
250
10
10
10
-
5.0
-
1.8
1.8
1.8
1.8
-
-
-
-
500
-
-
-
8
20.0
6.0
-
-
-
-
0.4
0.4
0.4
0.4
1000
Ta=25
O
C
电路
5
5
5
5
5
5
5
5
6
-
7
7
7
7
8
8
8
8
9
特殊参数: V
DFMW
1
V
DFMW
2
V
DFMW
3
10
676