XC6109
系列
●操作
解释
一个典型的电路例子示于图1中，与图1中的时序图显示在图2中的下一个页面上。
①
作为早期状态时，输入电压端子施加足够高的电压以释放电压和延迟电容
（镉）被充电到输入端子的电压。当输入引脚电压（V
IN
）开始下降，以达到检测电压
(V
DF
) (V
IN
＆ GT ; V
DF
），输出电压（V
OUT
）保持“高”级别（ = V
IN
).
②
当输入端子的电压保持下降并变得等于所述检测电压（V
IN
= V
DF
） ，对于N沟道晶体管
延时电容放电接通，并开始放电延迟电容。作内部电路，
它采用延迟电容引脚作为电源输入，参考电压操作为V的比较
IN
和
输出电压变为“低”级（ ≦ V
IN
×0.1).
该检测延迟时间（t
DF
）被定义为时间的取值范围
从V
IN
=V
DF
于V
OUT
的“低”电平（特别是，当镉销未连接：吨
DF0
).
③
当输入端子的电压保持低于检测电压，并且0.7V以上，则延迟电容被排出到
接地电压（ = V
SS
）的水平。然后，输出电压（V
OUT ）
维持“低”的水平。
④
当输入端子的电压下降到0.7V以下，且它再次增大到0.7V以上时，输出电压可能不
能保持“低”电平。这样的操作被称为“未指定操作” ，以及电压发生在
输出端子的电压被定义为不稳定的操作电压（V
UNS ）
.
⑤
当输入端子的电压超过0.7V增加更多，它达到的释放电压电平（V
IN
＜V
DF
+V
HYS
），则
输出电压（V
OUT ）
维持“低”的水平。
⑥
当输入端子的电压继续增加超过0.7V到释放电压电平（= V 1
DF
+ V
HYS
） ， N沟道
晶体管的延迟电容放电将被关闭，并且延迟电容将开始放电
通过延迟电阻（ RDELAY ） 。的内部电路，它采用延迟电容引脚作为电源输入，将作为一个
迟滞比较器（上升逻辑阈值： V
TLH
=V
TCD
秋季逻辑阈值： V
THL
=V
SS
），而输入端子的电压
爱比的检测电压（ V
IN
＆ GT ; V
DF
).
⑦
当输入端子的电压变为等于释放电压或更高并保持检测电压以上时，就
延时电容（镉）将被充电到输入端子的电压。当延时电容引脚电压（V
CD
)
到达延迟电容销阈电压（V
TCD
），输出电压变化到“高” （= V 1
IN
）的水平。
T
DR
被定义为时间而从V的范围内
IN
=V
DF
+V
HYS
于V
OUT
“高”级别（尤其是当CD引脚不
连接：T已
DR0
). T
DR
可以用下式（1）给出。
T
DR
=
−
RDELAY
×
Cd
×
在（1
−
V
TCD
/ V
IN
) +T
DR0
…(1)
*在为自然对数
该释放延迟时间也可以简单地用下式计算（2）由于延迟电阻为2.0MΩ （典型值）和
延时电容引脚阈值电压为V
IN / 2
（典型值）。
TDR = RDELAY
×
Cd
×
0.69
…
(2)
* RDELAY是2.0MΩ （ TYP 。 ）
作为一个例子，假定该延迟电容为0.68μF ， TDR是：
2.0
×
10
6
×
0.68
×
10
-6
×
0.69=938(ms)
*注意，释放延迟时间可以显着地短，当延迟电容不被放电到地
(=V
SS
）的水平，因为时间描述
③
是短暂的。
⑧
当输入引脚电压低于检测电压（ V
IN
＆ GT ; V
DF
） ，因此，输出电压保持
“高” （ = V
IN
）的水平。
●发布
延迟时间图
延时电容[ CD]
(μF)
0.01
0.022
0.047
0.1
0.22
0.47
1
解除延迟时间[T
DR
] （ TYP。）
（女士）
13.8
30.4
64.9
138
304
649
1380
解除延迟时间[T
DR
] （ MIN 。 〜 MAX 。 ）
（女士）
11.0 ~ 16.6
24.3 ~ 36.4
51.9 ~ 77.8
110 ~ 166
243~ 364
519 ~ 778
1100 ~ 1660
7/14
TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
