XC6109
系列
ⅵELECTRICAL
特征
参数
工作电压
检测电压
滞后幅度
电源电流1
符号
V
IN
V
DF
V
HYS
I
SS1
条件
V
DF （ T） =
0.8~5.0V
(*1)
V
DF （ T） =
0.8~5.0V
V
IN
=1.0~6.0V
V
DF （ T） =
0.8~1.9V
V
IN
=V
DF
x 0.9
V
DF （ T） =
2.0~3.9V
V
DF （ T） =
4.0~5.0V
V
DF （ T） =
0.8~1.9V
V
IN
=V
DF
x 1.1
V
DF （ T） =
2.0~3.9V
V
DF （ T） =
4.0~5.0V
V
IN
=0.7V
V
DS
=0.5V(Nch)
V
IN
=1.0V
(*2)
V
DS
=0.5V(Nch)
V
IN
=2.0V
(*3)
V
DS
=0.5V(Nch)
(*4)
V
IN
=3.0V
V
DS
=0.5V(Nch)
(*5)
V
IN
=4.0V
V
DS
=0.5V(Nch)
V
IN
=V
DF
x1.1
V
DS
= 0.5V （ P沟道）
分钟。
0.7
V
DF
x 0.02
-
-
-
-
-
-
0.01
0.1
0.8
1.2
1.6
典型值。
-
E-1
V
DF
x 0.05
0.80
0.90
1.00
0.90
1.10
1.20
0.36
0.7
1.6
2.0
2.3
E-2
-
I
泄漏
V
DF
TA ×V
DF
RDELAY
I
CD
V
TCD
V
UNS
T
DF0
T
DR0
V
IN
=6.0V, V
OUT
= 6.0V ， CD：打开
-
-40
O
C
<Ta<85
O
C
V
IN
= 6.0V ， CD = 0V
CD = 0.5V ，V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=0~0.7V
V
IN
= 6.0下降到0.7V
CD：打开
V
IN
=0.7~6.0V
CD：打开
-
1.6
8
0.4
2.9
-
-
-
0.20
±100
2.0
60
0.5
3.0
0.3
30
30
0.40
-
2.4
-
0.6
3.1
0.4
230
200
PPM /
O
C
MΩ
μA
V
V
μs
μs
①
⑤
⑤
⑥
⑦
⑧
⑧
0.20
-
μA
③
mA
④
-
mA
③
马克斯。
6.0
V
DF
x 0.08
1.70
1.90
2.00
1.80
2.00
2.20
单位
V
V
V
TA = 25
O
C
电路
-
①
①
μA
②
电源电流2
I
SS2
μA
②
I
OUT1
输出电流
I
OUT2
(*6)
CMOS
产量
泄漏
N沟道开
当前
漏
产量
温度
特征
延迟性
(*7)
延迟引脚吸收电流
延时电容引脚
阈值电压
未指定的操作
电压
(*8)
检测延迟时间
(*9)
解除延迟时间
(*10)
注意：
*1: V
DF （T ） ：
设定检测电压
*2: V
DF （T ）
＞1.0V
*3: V
DF （T ）
＞2.0V
*4: V
DF （T ）
＞3.0V
*5: V
DF （T ）
＞4.0V
* 6 ：此数值仅适用于XC6109C系列（CMOS输出） 。
* 7 ：从所述电压值和所述电阻器两端的电流值进行计算。
* 8 ：在V的最大电压
OUT
在V的范围
IN
0至0.7V 。这个数值仅适用于XC6109C系列
（ CMOS输出） 。
* 9 ：时间从v的状态范围
IN
=V
DF
于V
OUT
达到0.6V时，在V
IN
瀑布无需连接到CD端子。
* 10 ：时间从v的状态范围
IN
= V
DF
+V
HYS
于V
OUT
达到5.4V时，在V
IN
上升，而无需连接到CD端子。
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TOREX [ TOREX SEMICONDUCTOR ]
