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SBVS038N - 2003年9月 - 修订2007年1月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
订购信息
(1)
产品
TPS736xxyyyz
V
出（2）
XX
是标称输出电压（例如， 25 = 2.5V ， 01 =可调
(3)
).
YYY
是封装标识。
Z
是包的数量。
(1)
(2)
(3)
对于最新的规格和包装的信息，请参阅封装选项附录位于该数据表的末尾
或者看到TI的网站
在100mV的增量额外的输出电压从1.25V到4.3V，采用创新的工厂数量有限，快转的基础
EEPROM编程。最小订货量适用;请与工厂联系了解详细信息和可用性。
对于固定的1.2V运作，领带FB至OUT 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
(1)
TPS736xx
V
IN
范围
V
EN
范围
V
OUT
范围
V
NR
, V
FB
范围
峰值输出电流
输出短路持续时间
连续总功率耗散
结温范围，T
J
存储温度范围
ESD额定值， HBM
ESD额定值，清洁发展机制
(1)
-0.3〜 6.0
-0.3〜 6.0
-0.3〜 5.5
-0.3〜 6.0
内部限制
不定
SEE
-55到+150
-65到+150
2
500
°C
°C
kV
V
单位
V
V
V
V
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据所指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
是不是暗示。长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
功率耗散额定值
(1)
板
低K
(2)
高K
(3)
低K
(2)
高K
(3) (4)
(1)
(2)
(3)
(4)
包
的dBV
的dBV
DCQ
DRB
R
θJC
64°C/W
64°C/W
15°C/W
1.2°C/W
R
θJA
255°C/W
180°C/W
53°C/W
40°C/W
降额因子
上述牛逼
A
= 25°C
3.9mW/°C
5.6mW/°C
18.9mW/°C
25.0mW/°C
T
A
≤
25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 85°C
额定功率额定功率额定功率
390mW
560mW
1.89W
2.50W
215mW
310mW
1.04W
1.38W
155mW
225mW
0.76W
1.0W
SEE
功耗
在
应用
部分涉及到热设计的更多信息。
用于导出这些数据的JEDEC低K （ 1S）电路板设计是一个3英寸X 3英寸， 2层电路板与顶2盎司铜箔走线
董事会。
用于导出这些数据的JEDEC的High-K （ 2S2P ）电路板设计是一个3英寸X 3英寸，多层板用1盎司的内在动力和
接地层和2盎司铜箔走线在电路板的顶部和底部。
根据初步的热模拟。
2
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
