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TPS51200DRCRG4 参数 Datasheet PDF下载

TPS51200DRCRG4图片预览
型号: TPS51200DRCRG4
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内容描述: 漏/源DDR终端稳压器 [SINK/SOURCE DDR TERMINATION REGULATOR]
分类和应用: 稳压器双倍数据速率
文件页数/大小: 35 页 / 1260 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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www.ti.com
SLUS812 - 2008年2月
电气特性
在推荐的自由空气的温度范围内,V
VIN
= 3.3 V,V
VLDOIN
= 1.8 V, V
REFIN
= 0.9 V, V
VOSNS
= 0.9 V, V
EN
= V
VIN
, C
OUT
= 3
×
10
µF
并示出在电路
(除非另有说明)
参数
电源电流
I
IN
I
IN( SDN )
I
LDOIN
I
LDOIN ( SDN )
输入电流
I
REFIN
VO输出
V
REFOUT
= 1.25 V ( DDR1 ) ,我
O
= 0 A
V
VOSNS
输出直流电压VO
V
REFOUT
= 0.9 V( DDR2 ) ,我
O
= 0 A
V
LDOIN
= 1.5 V, V
REFOUT
= 0.75 V( DDR3 ) ,我
O
= 0 A
V
VOTOL
I
VOSRCL
I
VOSNCL
I
DSCHRG
输出电压容差
REFOUT
VO源vurrent限制
VO灌电流限制
放电电流, VO
-2A <我
VO
< 2A
参照REFOUT ,V
嗅觉神经元
= 90%
×
V
REFOUT
参照REFOUT ,V
嗅觉神经元
= 110%
×
V
REFOUT
V
REFIN
= 0 V, V
VO
= 0.3 V, V
EN
= 0 V ,T
A
= 25°C
相对于REFOUT PGOOD窗口门槛较低
V
TH ( PG )
T
PGSTUPDLY
V
PGOODLOW
T
PBADDLY
I
PGOODLK
VO PGOOD门槛
相对于REFOUT PGOOD窗口阈值上限
PGOOD滞后
PGOOD启动延迟
输出低电压
PGOOD坏延迟
漏电流
(1)
启动上升沿, VOSNS内REFOUT的15%
I
SINK
= 4毫安
VOSNS是±20% ,PGOOD窗口外
V
嗅觉神经元
= V
REFIN
( PGOOD高阻抗)
PGOOD = V
IN
+ 0.2 V
0.5
REFIN上升
360
390
20
REFIN
-10毫安<我
REFOUT
< 10毫安,V
REFIN
= 1.25 V
V
REFOUTTOL
REFOUT电压容差
V
REFIN
-10毫安<我
REFOUT
< 10毫安,V
VREFIN
= 0.9 V
-10毫安<我
REFOUT
< 10毫安,V
REFIN
= 0.75V
-10毫安<我
REFOUT
< 10毫安,V
REFIN
= 0.6 V
I
REFOUTSRCL
I
REFOUTSNCL
REFOUT源电流限制
REFOUT灌电流限制
V
REFOUT
= 0 V
V
REFOUT
= 0 V
–15
–15
–15
–15
10
10
40
40
15
15
15
15
mA
mA
mV
10
1
–23.5%
17.5%
1.25
–15
0.9
–15
0.75
–15
–25
3
3.5
18
15
25
4.5
5.5
25
15
15
V
mV
V
mV
V
mV
mV
A
A
输入电流, REFIN
V
EN
= 3.3 V
1
µA
电源电流
关断电流
电源电流ofVLDOIN
VLDOIN的关断电流
T
A
= 25
°C,
V
EN
= 3.3 V ,空载
T
A
= 25
°C,
V
EN
= 0 V, V
REFIN
= 0 ,无负载
T
A
= 25
°C,
V
EN
= 0 V, V
REFIN
> 0.4 V,空载
T
A
= 25
°C,
V
EN
= 3.3 V ,空载
T
A
= 25
°C,
V
EN
= 0 V ,无负载
0.7
65
200
1
0.1
1
80
400
50
50
mA
µA
µA
µA
测试条件
典型值
最大
单位
电源良好比较器
–20%
20%
5%
2
0.4
ms
V
µs
µA
–17.5%
23.5%
REFIN和REFOUT
V
REFIN
V
REFINUVLO
V
REFINUVHYS
V
REFOUT
REFIN电压范围
REFIN欠压锁定
REFIN欠压锁定
迟滞
REFOUT电压
1.8
420
V
mV
mV
V
(1)
由设计保证。未经生产测试。
©2008 ,德州仪器
3
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