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SLUS812 - 2008年2月
应用信息
VIN电容
添加一个陶瓷电容，与1.0 μF和4.7 μF之间的值，放置在靠近VIN引脚，以稳定
偏见来自供应的寄生阻抗电源（ 2.5 V电压轨或3.3- V轨） 。
VLDO输入电容
根据VLDOIN大容量电源之间的线路阻抗的装置中，一过性升高
源的电流是通过从VLDOIN输入电容器上的电荷主要供给。使用10 μF （或更高版本）
陶瓷电容器，并将该瞬时电荷。提供更多的输入电容为更多的输出电容
在使用VO 。在一般情况下，使用二分之一的C
OUT
值的输入。
输出电容
为稳定操作时， VO输出端的总电容必须大于20
µF.
附三张，
10 - F陶瓷电容并联，以减少等效串联电阻（ESR ）和等效的效果
串联电感（ESL ） 。如果ESR为大于2毫欧，插入输出和VOSNS之间的RC滤波器
输入实现的环路稳定性。 RC滤波器的时间常数应该大致相同或稍低于
输出电容及其ESR的时间常数。
低VIN应用
TPS51200可以在一个应用系统，其中任何一个2.5 V电压轨或3.3 V电压轨时也可以使用。如果只有一个5 -V
轨道可用， TPS51100可以用来代替。该TPS51200最小输入电压的要求是2.375 V.
如果在2.5 V电压轨时，确保绝对最小电压（直流和瞬态）的器件引脚是是
2.375 V或更高。电压容差为2.5 V电压轨输入-5 5的准确性，或更好的％和％ 。
S3和伪-S5支持
该TPS51200提供了S3支持的EN功能。 EN引脚可以连接到在一个SLP_S3信号
最终应用。无论REFOUT和VO都在当EN =高（ S0状态） 。 REFOUT被维持而VO
通过内部放电MOSFET关断，出院时EN =低（ S3状态） 。当EN =低，
在REFIN电压小于0.390 V， TPS51200进入伪S5状态。无论VO和REFOUT输出
关闭，通过内部MOSFET的放电至GND时，伪S5支持从事（ S4 / S5
状态） 。
显示了使用S3和一个应用程序的典型的启动和关断的时序图
伪-S5支持。
跟踪启动和关机
该TPS51200还支持跟踪启动和关机时EN被直接连接到系统总线和不
用于打开或关闭设备。在跟踪过程中启动， VO如下REFOUT一次REFIN电压
大于0.39 V. REFIN如下VDDQ电压通过分压器的崛起。典型的软启动时间的
VDDQ电压大约为3毫秒，但是它可以根据系统配置而变化。的SS时间
该VO输出不再依赖于OCL设置，但它是VDDQ电压的SS的时间的函数。
PGOOD被断言2毫秒后VO为内REFOUT的±20％ 。在跟踪过程中关机， VO下降以下
REFOUT至REFOUT达到0.37 V.一旦REFOUT低于0.37 V，内部放电MOSFET的
无论REFOUT和VO开启并迅速放电至GND 。 PGOOD被拉高，一旦VO是超越
REFOUT ± 20％的范围内。
示出了用于使用跟踪启动一个应用程序的典型时序图
和关闭。
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