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SBVS050F - 2004年5月 - 修订2006年10月
1.2V
3.3V
受到电阻的选择。
节目
一个固定的20ms的留下了C延时
T
开路。
显示了一个接地参考的电容
连接到C
T
为用户定义的节目时间
1.25ms和10秒之间。
SENSE V
DD
V
I / O
V
CORE
SENSE
V
DD
TPS3808G12
RESET
C
T
TPS3808G33
MR
C
T
DSP
RESET
GND
GPIO
GND
GND
电容C
T
应
≥
100pF的标称值
为了使TPS3808xxx认识到
电容器是本。对于给定的电容值
延迟时间可以通过以下来计算
公式：
C
T
（ NF）
+
t
D
(s)*0.5
10
*3
(s)
175
(1)
图12.使用MR监控多个系统
电压
3.3V
V
DD
SENSE
90kΩ
C
T
TP S38 08xx X
复位延迟时间由时间决定了它
采用一个片上精密220nA电流源
充电的外部电容1.23V 。当一个
复位有效电容被放电。
当复位条件清零时，内部
电流源被启动，并开始充电的
外部电容。当此电压
电容达到1.23V ，复位撤除。
注意，低泄漏型电容器，如
陶瓷应该被使用，并且该寄生电容
围绕该引脚可在复位延迟会导致错误
时间。
摹ND
免疫力SENSE引脚电压
瞬变
该TPS3808是相对不受短期负面
瞬变的SENSE引脚。敏感性瞬变
是依赖于阈值的过驱动，如图中
在感VS感最大瞬态持续时间
阈值过驱动电压
图（图
6)
在
典型特征
部分。
图13.使用外部MOSFET ，以
我最小
DD
当MR信号不进入V
DD
选择复位延迟时间
该TPS3808有三个选项用于设置
如图复位延迟时间
示出了用于固定300ms的配置
通过把C典型值延迟时间
T
到V
DD
;从电阻
为40kΩ到200kΩ的必须被使用。供电电流不
3.3V
SENSE V
DD
50kΩ
TPS3808G33
C
T
RESET
3.3V
3.3V
SENSE V
DD
TPS3808G33
C
T
RESET
C
T
SENSE V
DD
TPS3808G33
C
T
RESET
300ms的延迟
(a)
20ms的延时
(b)
延迟（ S） = C
T
（ NF） + 0.5 ×10
−3
(s)
175
(c)
图14.配置用来设定复位延迟时间
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