SNVS038G - 1999年7月 - 修订2013年3月
应用说明
一般
示为LM1085 -调（不包括保护电路），一个基本的功能图。该拓扑结构是
基本上，除了导通晶体管的LM317的那个。取而代之的是Darlingtion NPN与它的两个二极管电压
降， LM1085使用单个NPN型。这导致较低的电压差。在传输晶体管的结构
也被称为一个准的LDO。其优点准LDO通过PNP LDO是其固有的低静态
电流。该LM1085保证提供最低压差电压为1.5V以上的温度，在满负荷。
为LM1085图15.基本功能框图，不包括保护电路
输出电压
该LM1085可调版本的发展，在1.25V的参考电压（V
REF
），输出与调节之间
终奌站。如图2所示，该电压通过电阻器R1施加到产生一个恒定电流I1 。这
恒定电流则流过R2 。 R2两端的电压降增加了参考电压到
设定所需的输出电压。
目前我
ADJ
从调整终端引入了一个输出错误。但既然是小（最大为120uA ） ，它
变得可忽略时， R 1是在100Ω范围内。
对于固定电压的器件中，R 1和R 2都集成在设备内部。
图16.基本可调稳压器
稳定，建议
稳定性考虑，主要关心的反馈回路的相位响应。为了使操作稳定，
循环必须保持负反馈。的LM1085需要一定量的串联电阻
的容性负载。该系列电阻引入循环内的零增加相位裕度，从而
增加稳定性。固体钽或铝电解电容器的等效串联电阻（ESR）是
用于提供合适的零（大约500千赫兹） 。
的铝电解比钽便宜，但其ESR在冷成倍变化
温度;因此，在选择了所需的瞬态响应要求仔细检查
温度。钽是一种方便的选择，因为其ESR的变化小于2：过温1 。
推荐的负载/去耦电容为10μF的钽或50uF铝。这些值将
保证稳定，为广大的应用前景。
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