SNLS394J - 2000年1月 - 修订2013年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作温度范围，T
A
DS2003T
DS2003C
结温范围，T
J
焊接温度
焊接10秒
ESD额定值
人体模型
机器型号
封装的热耗散额定值
NFG0016E套餐
θ
J- á
D0016A套餐
θ
J- á
输入电压
输出电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
(1)
(2)
88°C/W
115°C/W
−0.3V
至30V
55V
6.0V
500毫安
25毫安
+/-2000V
+/- 200V
265°C
−40°C
至+ 125°C
−40°C
至+ 85°C
−40°C
至+ 150°C
−65°C
至+ 150°C
“绝对最大额定值”超出了不能指定的设备的安全性的价值观。它们并不意味着
该装置应在这些限制下工作。该
为实际设备运行情况。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
电气特性
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
I
CEX
输出漏
当前
(1)
测试条件
T
A
= 25 ° C，V
CE
= 50V （图
6)
T
A
= 85°C ，V
CE
= 50V （图
6)
T
A
= 125°C ，V
CE
= 50V （图
6)
对于DS2003T
I
C
= 350mA，可我
B
= 500μA （图
8)
(2)
I
C
=的200mA，我
B
= 350μA （图
8)
I
C
= 100mA时我
B
= 250μA （图
8)
V
I
= 3.85V （图
9)
I
C
= 500μA （图
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
T
A
= + 125℃的DS2003T
民
典型值
最大
20
100
150
单位
μA
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
饱和电压
1.25
1.1
0.9
0.93
50
50
25
10
100
100
50
25
1.6
1.3
1.1
1.35
V
I
我（上）
I
我（关闭）
输入电流
输入电流
(3)
mA
μA
V
我（上）
输入电压
(4)
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 200毫安（图
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 250毫安（图
V
CE
= 2.0V ，我
C
= 300mA（对图
2.4
2.7
3.0
15
30
1.0
1.0
V
C
I
t
PLH
t
PHL
(1)
(2)
(3)
(4)
2
输入电容
导通延迟
关断延时
0.5 V
I
以0.5 V
O
0.5 V
I
以0.5 V
O
pF
μs
μs
所有参数适用于整个达林顿系列作为指定一个单一设备类型的除外。
在正常操作条件下，这些单位将维持每个输出350毫安与V
CE （SAT）
= 1.6V ，在70 ℃下为20毫秒的脉冲宽度
和30％的占空比。
在我
我（关闭）
电流限制确保了对部分点灯的输出。
在V
我（上）
电压限制确保每个规定的试验条件下的最小输出灌电流。
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