SLUS673E - 2005年9月 - 修订2012年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
描述（续）
该bq29330提供过载安全保护，短路负责，和短路放电
条件下，也可以提供电池过压，电池过压，电池欠压保护与
电池管理主机。在过载，短路，在充电和短路的放电条件下，对
bq29330关闭FET驱动自主地，根据不同的内部结构的设置。该
通信接口允许主机来观察和控制bq29330的状态，使细胞
平衡，进入不同的电源模式，设定电流保护级别，并设置消隐延迟时间。
可以通过细胞旁路路径整合至bq29330， ，它可以是要执行的每个小区的小区平衡
通过内部控制寄存器允许通过我访问
2
C兼容接口。最大旁路电流
通过外部串联电阻和内部FET导通电阻（典型值设为400
Ω).
订购信息
(1)
T
A
-40℃ 〜110℃
(1)
(2)
包
TSSOP （ DBT ）
(2)
bq29330DBT
QFN （ RSM ）
(2)
bq29330RSM
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
该bq29330可在磁带和卷轴加后缀R键可订购部件号，即bq29330DBTR订购。
间隔
热信息
bq29330
热公制
(1)
θ
JA ，高钾
θ
JC （顶部）
θ
JB
ψ
JT
ψ
JB
θ
JC （底部）
(1)
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板的热阻
结至顶部的特征参数
结至电路板的特征参数
结至外壳（底部）热阻
TSSOP （ DBT ）
30针
81.4
16.2
34.1
0.4
33.6
不适用
QFN （ RSM ）
32针
37.4
30.6
7.7
0.4
7.5
2.6
° C / W
单位
有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅
IC封装热度量
申请报告，
2
产品文件夹链接（ S） ：
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TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
