绝对最大额定值
(1)
+V
CC
到GND ................................................ ........................ -0.3V到+ 6V
模拟输入到GND ............................................ -0.3 V至+ V
CC
+ 0.3V
数字输入到GND ............................................. - 0.3V至+ V
CC
+ 0.3V
功耗................................................ .......................... 250mW的
最高结温............................................... ... + 150°C
工作温度范围........................................ -40 ° C至+ 85 ℃，
存储温度范围......................................... -65 ° C至+ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒） ........................................... ... + 300℃
注： （ 1 ）工作条件超过这些额定值可能会造成永久性的损害。
长期在绝对最大条件下长时间可能会降低
器件的可靠性。
静电
放电敏感度
这个集成电路可以被ESD损坏。得克萨斯仪器
ments建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作
和安装程序，会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可以是
更容易受到伤害，因为很小的参数
变化可能导致设备不能满足其公布
特定连接的阳离子。
封装/订购信息
(1)
最大
积分
线性
错误（ LSB）的
±2
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
产品
ADS7846E
PACKAGE -LEAD
SSOP-16
包
代号
DBQ
包
记号
ADS7846E
订购
数
ADS7846E
ADS7846E/2K5
ADS7846N
ADS7846N/2K5
ADS7846N/2K5G4
ADS7846IGQCR
ADS7846IRGVT
ADS7846IRGVR
＆ QUOT ;
ADS7846N
＆ QUOT ;
±2
＆ QUOT ;
TSSOP-16
＆ QUOT ;
PW
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
ADS7846N
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
ADS7846I
ADS7846I
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
±2
±2
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
VFBGA-48
QFN-16
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
GQC
RGV
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
ADS7846
ADS7846
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
＆ QUOT ;
注： （ 1 ）对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录位于此数据表的末尾，或者看到TI网站
在www.ti.com 。
2
ADS7846
www.ti.com
SBAS125H
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
