BICMOS PWM控制器
TC25C25
TC35C25
小型试验作战模拟
波形
3V
0.5V
5k
1
2
1
IN-
IN +
SYNC
OSC OUT
CT
RT
DISCH
软
VREF
VIN
OUTB
VDD
GND
OUTA
SHDN
16
15
14
13
12
11
10
.1µf
MET
+
–
V011
16V
2
3
GND
4
5
MET
6
3.7k
CT
5脚
销2
电压
OSC OUT
引脚4
死区时间
1000pF
OUTPUT A
引脚11
7
0至1K
8
3
4
5
6
7
1000
CMPTR 9
OUTPUT B
引脚14
GND
在5K电位器设定在2脚的基准电压。
当销5的斜坡电压达到该基准电压，
输出驱动脉冲的有效ON 。改变放电
电阻会有所不同的死区时间。增加放电
电阻将影响增加死区时间。
更换双极版本， CMOS
虽然引出线和功能是相同的两个
的双极和CMOS版本，有几个differ-
需要分配办法来加以考虑。参考
电压上的TC35C25是4V ，而不是5V和
振荡器斜坡为3V ， 4V没有。第r
T
和C
T
值
对于任何特定的频率和死区时间不同的要求一
换货。
最重要的区别是，绝对
在V的最大额定值
DD
和V
IN
电压为TC35C25
为18V ，而UC3525为40V 。
典型特征
振荡器频率
与CT和保留时间
900
800
700
VDD = VIN = 16V ， TA + 25°C
RT = 1K
RT = 2K
RT = 5K
RT = 10K
RT = 20K
40
35
30
VDD = 16V ， TA + 25°C
电源电流
与频率的关系
3000
2500
死区时间
与CT和放电电阻
VDD = 16V ， TA + 25°C ，RT = 10K
CT = 1000pF的
死区时间（纳秒）
CL = 2200pF
CL = 1000pF的
CL = 470pF的
CL = 10pF的
FOSC （千赫）
600
500
400
300
200
100
0
200
400
600
CT （ pF）的
IDD （MA ）
25
20
15
10
5
2000
1500
1000
500
0
CT = 500pF的
CT = 330pF的
CT = 100pF的
800
1000
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
频率（MHz）
1
0
200
400
600
800
放电电阻（ Ω ）
8
TELCOM半导体，INC。的
4-117
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
