BICMOS PWM控制器
TC25C25
TC35C25
电气特性：
除非另有说明，这些规范适用于 - 40°C <牛逼
A
＆ LT ;
+ 85°C的TC25C25Exx ; 0 ℃的<T
A
< + 70℃的TC35C25Cxx ;
V
IN
和V
DD
= 16V ; ř
T
= 3.7kΩ ; ç
T
= 1000 pF的; RD = 760
Ω.
参数
电源电压抑制
压摆率
阈值迟滞
1
2
3
4
5
6
7
测试条件
V
IN
= 8V至18V
C
负载
= 50pF的， ACL = 1
V（ EA + ） = 1V到3V脉冲， （注1 ）
民
90
—
—
0.6
—
—
典型值
120
1
—
0.8
1.2
250
—
49
0.6
3.6
—
46
30
±1
20
140
2.4
13
20
55
40
2
7
2.2
75
最大
—
—
—
1
2.5
350
0
—
0.7
3.7
±1
75
100
±100
40
220
3
25
35
80
65
3
7.3
2.5
200
单位
dB
V /微秒
V
mA
µA
%
%
V
V
µA
µA
mV
nA
纳秒
纳秒
V
Ω
Ω
纳秒
纳秒
mA
V
V
µA
总待机电流
电源电流
启动电流
PWM比较器
分钟。占空比
最大占空比
输入阈值
输入阈值
输入偏置电流
注意： 1 ，T
J
= 25°C
T
J
= 25 ° C，F
OSC
= 100kHz时， （注1 ）
V（C
T
) = 0.6V
V（C
T
) = 3.6V
注意： 1 ，T
J
= 25°C
V
关闭
= 0V
V
关闭
= 3V
V
关闭
= 3V
V
关闭
= 5V ， （注1 ）
V
关闭
= 5V ， （注1 ）
—
45
0.5
3.4
—
30
—
—
—
130
1.5
—
—
—
—
—
6.45
1.7
—
软启动第
软启动电流
软启动电压
关断输入电流
最小关断脉冲宽度
关机延迟
关断阈值
输出驱动器（每路输出）
输出低电平的RDS （ ON）
输出高电平的RDS （ ON）
上升时间
下降时间
I
SINK
= 20mA下
I
来源
= 20mA下
C
L
= 1
nF
（注1 ）
C
L
= 1
nF
（注1 ）
f
OSC
= 100kHz的
电源
电源电流
UV锁定阈值
UV锁定迟滞
启动电流
注意：
1.未经测试。
Telcom公司半导体公司保留在任何时间详见本手册，恕不另行通知，在电路改变或规格的权利。最小值
和最大值的保证。所有其他规范的目的是作为唯一的指导方针。 Telcom公司半导体公司对使用不承担任何责任
本文所述的任何电路和不作任何陈述，他们是不受专利侵权。
8
TELCOM半导体，INC。的
4-113
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
