BICMOS PWM控制器
TC25C25
TC35C25
振荡器频率和输出死区时间
1/FO
VDD
5脚
TD
3V
.5V
ON- TIME
（ TCHG ）
引脚4
0.5V 3V
+
ICHARGE
≈
5
1.5V
RT
6
1.5V
–
7
3
DISCH
SYNC
RD
CT
RT
输出死区时间（Td ）
振荡器频率（f
O
) =
1
T
CHG
+ T
D
V+
IN
输出
关闭
1mA
VON = 9.2V
VOFF = 7V
75µA
IS
T
CHG
是C的充电时间
T
。一个PWM的
控制器输出驱动器为ON时充电的C
T
. T
D
is
输出的死区时间时，都输出驱动器是
无效。电阻（R
T
）设置电容（C
T
）充电
电流。
选择一个振荡器频率（F
O
） ，首先选择
一段死区时间（T
D
）要求。计算电容
充电时间（t
CHG
).
T
CHG
=
1 – F
O
x深
C
F
O
VIN
7V
9.2V
IS =启动电流
欠压锁定部分
对阈值的典型又是9.2V的这个操作
家庭PWM控制器。当电源引脚15的电压
低于7V ，经过上面的9.2V正常运行，锁定
发生，并且这两个输出驱动器，以销11和14是termi-
经过NAT 。
选择在100pF的范围内的电容为1000 pF对于
C
T
。见典型特性曲线图。计算
电容器的充电电流（I
CHG
).
I
CHG
=
2.5乘C
T
T
CHG
C
T
在法拉，T
CHG
在几秒钟内，我
CHG
（安培） ，并
R
T
在欧姆。
R
T
=
1.5
I
CHG
所述电阻器（R
D
）控制的死区时间的周期（T
D
).
在死区时间该电阻器（R
D
）电流的总和
C
T
放电电流和予
CHG
电流。 R的值
D
范围可以从>1Ω到<900Ω 。死区时间增加时，
R
D
增大。请参阅图表中的典型特性曲线
死时的电阻值。
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TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
