BICMOS PWM控制器
TC25C25
TC35C25
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ............ 18V
最大片上温度................................... 150℃
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（ 10秒） ..................................... 300℃
封装热阻
PDIP ř
θJ -A
.....................................................................
125°C/W
PDIP ř
θJ -C
........................................................................
45°C/W
SOIC ř
θJ -A
.....................................................................
250°C/W
SOIC ř
θJ -A
........................................................................
75°C/W
工作温度
25C2x ........................................ - 40°C
≤
T
A
≤
+85°C
35C2x ............................................. 0 ℃，
≤
T
A
≤
+70°C
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
电气特性：
除非另有说明，这些规范适用于 - 40°C <牛逼
A
＆ LT ;
+ 85°C的TC25C25Exx ; 0 ℃的<T
A
< + 70℃的TC35C25Cxx ;
V
IN
和V
DD
= 16V ; ř
T
= 3.7kΩ ; ç
T
= 1000pF的; RD = 760Ω 。
参数
参考科
输出电压
线路调整
负载调整率
温度系数
V
REF
长期漂移
短路
输出噪声
T
J
= 25 ° C，I
O
= 1毫安
V
IN
= 8V至18V
I
I
= 1mA至毫安
注1
最坏的情况下
T
J
= 25 ° C， （注1 ）
V
REF
到GND
T
J
= 25 ° C， 10赫兹
≤
f
≥
10千赫， （注1）
T
J
= 25 ° C，在97千赫
V
IN
= 8V至18V
注1
T
J
= 25°C
f
OSC
= 100kHz时，R
L
= 1MΩ ， （注1 ）
T
J
= 25 ° C，R
D
= 0Ω ， （注1 ）
C
T
= 100pF电容，R
T
= 1Ω
R
T
引脚连接到V
REF ，
C
T
在引脚GND
同步电压= 4V ，V （R
T
) = 4V
T
J
= 25 ° C，同步振幅= 5V ， （注1 ）
R
T
= 1Ω, C
T
= 100pF电容，R
D
= 0Ω ， （注1 ）
3.9
—
—
—
3.85
—
20
—
—
—
—
2.9
30
4.9
—
1.8
—
—
1.0
—
—
—
70
0.7
—
4.9
60
4
±4
±4
±0.01
4
±50
40
21
±2
±0.01
±0.025
3.2
50
5.5
170
2.2
—
130
—
±5
±50
±25
85
0.9
10
5.4
75
4.1
±10
±15
±0.4
4.15
—
70
—
±3
±0.1
±0.06
3.4
60
6.7
200
2.8
±1
175
—
±15
±200
±100
—
1.2
20
5.9
—
V
mV
mV
毫伏/°C的
V
mV/1000Hrs
mA
μV （ RMS）
%
%/V
%/°C
V
Ω
V
纳秒
V
µA
纳秒
兆赫
mV
pA
pA
dB
兆赫
mV
V
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
振荡器部分
初始精度
电压COEF网络cient
温度系数
OSC斜坡幅度
复位开关的RON
DS （ ON）
时钟振幅
时钟的最小宽度
同步阈值
SYNC输入电流
闵同步脉冲宽度
最大OSC频率
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
直流开环增益
增益带宽积
输出低电平
输出高电平
CMRR
4-112
误差放大器部分（V
CM
= 2.5V)
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
R
L
= 100kΩ
注1
R
L
= 100kΩ的（N通道）
R
L
= 100kΩ的（ NPN ）
V
CM
= 0.5〜 4.7V
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
