SNLS420B - 2012年7月 - 修订2013年4月
电气特性
（续）
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
OL
I
OS
参数
低电平输出
电压
输出短路
当前
条件
V
DDIO
= 1.71V至1.89V解串器
I
OL
= 4毫安
LVCMOS输出
V
OUT
= 0V
串行器
GPO输出
解串器
LVCMOS输出
I
OZ
TRI- STATE®输出
当前
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入电流
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输出短路
当前
PDB = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
DD
V
IN
= 2.52V到3.08V
V
IN
= 2.52V到3.08V
V
IN
= 0V或3.08V
V
IN
= 2.52V到3.08V
V
DDIO
= 2.52V到3.08V
I
OH
=
−4
mA
V
DDIO
= 2.52V到3.08V
I
OL
= 4毫安
V
OUT
= 0V
解串器
LVCMOS输出
串行器
GPO输出
解串器
LVCMOS输出
I
OZ
TRI- STATE®输出
当前
差分输出
电压
差分输出
电压不平衡
差分输出
失调电压
失调电压
不平衡
输出短路
当前
PDB = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
DD
LVCMOS输出
-20
LVCMOS输出
-20
民
GND
-11
mA
-17
+20
µA
典型值
最大
0.45
单位
V
LVCMOS DC规格2.8VI / O（ SER投入， GPI ， GPO ，控制输入和输出）
V
IH
V
IL
I
IN
V
OH
V
OL
I
OS
0.7 V
IN
GND
-20
V
DDIO
- 0.4
GND
-11
mA
-20
+20
µA
±1
V
IN
V
0.3 V
IN
+20
V
DDIO
0.4
µA
V
V
CML驱动器DC规格（ DOUT + ， DOUT- ）
|V
OD
|
ΔV
OD
V
OS
ΔV
OS
I
OS
R
T
R
L
= 100Ω （图
8)
R
L
= 100Ω
R
L
= 100Ω （图
8)
R
L
= 100Ω
DOUT +/- = 0V
80
268
340
1
V
DD
-
V
OD/2
1
-26
100
120
50
412
50
mV
mV
V
mV
mA
Ω
内部差异
跨DOUT +和DOUT-差
端接电阻
输入电流
V
IN
= V
DD
或0V ，
V
DD
= 1.89V
CML接收器DC规格（ RIN0 + ， RIN0- ， RIN1 + ， RIN1- ）
I
IN
R
T
-20
80
1
100
+20
120
µA
Ω
内部差异
跨RIN +和RIN-差
端接电阻
允许的最小
秋千1010
图案
(4)
Differntial输出眼
开盘
差分输出眼
高度
线路速率= 1.4Gbps （图
CML接收器的AC规格（ RIN0 + ， RIN0- ， RIN1 + ， RIN1- ）
|V
摇摆
|
135
mV
CMLMONITOR输出驱动器规格（ CMLOUTP ， CMLOUTN ）
E
w
E
H
R
L
= 100Ω
抖动Frequency>f / 40 （图
0.45
200
UI
mV
SER / DES电流* DIGITAL， PLL以及模拟VDD
(4)
规格为特征，而不是在生产测试。
9
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