欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

THN6501S 参数 Datasheet PDF下载

THN6501S图片预览
型号: THN6501S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN刨RF晶体管 [NPN Planer RF TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 13 页 / 123 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
 浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第6页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第7页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第8页浏览型号THN6501S的Datasheet PDF文件第9页  
THN6501S  
Intermodulation Intercept Point IP3=f(Ic)  
(ZS =ZL= 50 )  
CCB vs. VCB  
35  
1.5  
1.3  
1.1  
0.9  
0.7  
0.5  
VCE=6V  
f = 1M Hz  
30  
25  
VCE=3V  
20  
15  
10  
VCE=2V  
5
0
0.3  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
5
10  
15  
20  
Ic [m A]  
VCB [V]  
Fmin vs. Icc  
Noise Figure Contours & Constant Gain  
f = 1 GHz, VCE = 3V, Icc = 7mA  
VCE = 3V, Icc = parameter, Zs = Zsopt  
2
Output Stable  
Input Stable  
f = 1GHz  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1
Γ =0.365∠166  
OPT  
Fm in =1.0dB  
Ga=14dB  
=13dB  
=12dB  
=1.1dB  
=1.2dB  
=1.3dB  
=11dB  
=10dB  
5 contour  
4 contour  
0.8  
0.6  
0
5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55  
ICE [m A]  
www.tachyonics.co.kr  
Aug-25-2003  
- 5/13 -  
 复制成功!