THN6301S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN6301S
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内容描述：	NPN硅锗RF晶体管 [NPN SiGe RF TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	11 页 / 207 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

THN6301 Series

Output 3rd Order Intercept Point, OIP

vs. I

= Z

= 50

Ω)

vs. V

f = 1 GHz

= 8 V

0.9

f = 1 MHz

0.8

OIP

[dBm]

= 6 V

[pF]

= 3 V

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

[mA]

NF vs. I

= 8 V, I

= parameter, Z

= Z

Sopt

[V]

Noise Figure Contours & Constant Gain

f = 1 GHz, V

= 8 V, I

= 5 mA

2.6

f = 1 GHz

Output Stable

Input Stable

NF [dB]

2.1

=17dB

=16dB

=15dB

=14dB

=13dB

5 contour

OPT

=0.322∠104

NF =1.0dB

=1.1dB

=1.2dB

=1.3dB

4 contour

1.6

1.1

0.6

[mA]

www.tachyonics.co.kr

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Aug.-2005

Rev 2.0

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