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39R16A3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 39R16A3
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内容描述: SM39R16A3是一个快速的单芯片8位微控制器内核,工作电压: 1.8V 〜 5.5V>高速1T架构,最高可达25MHz的> 1 〜8T模式可使用软件编程>指令设置兼容MCS- 51>内置22.1184MHz RC振荡器,及可程序化的分频器> 16KB字节的片上闪存程序存储器> 512B字节的标准的8052 RAM>SM39R16A3U20 , OB39R16A3U20 , [SM39R16A3是一个快速的单芯片8位微控制器内核,工作电压: 1.8V ~ 5.5V  高速1T 架构,最高可达25MHz  1~8T 模式可使用软件编程  指令设置兼容 MCS-51  内置22.1184MHz RC振荡器,及可程序化的分频器  16KB字节的片上闪存程序存储器  512B 字节的标准的8052 RAM SM39R16A3U20,OB39R16A3U20,]
分类和应用: 振荡器闪存存储微控制器
文件页数/大小: 86 页 / 2946 K
品牌: SYNCMOS [ SYNCMOS TECHNOLOGIES,INC ]
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SM39R16A3  
内嵌 16KB  
具有 ISP 功能的 Flash  
512B RAM 8 位控制器  
KBE.2 同样被置位时将产生一个 KBI 中断请求,该位须软件清零.  
KBI1 标志位  
KBF.1:  
KBF.0:  
KBI1 检测到一编程水平线时,该位由硬件置位.  
KBE.1 同样被置位时将产生一个 KBI 中断请求,该位须软件清零.  
KBI0 标志位  
KBI0 检测到一编程水平线时,该位由硬件置位.  
KBE.0 同样被置位时将产生一个 KBI 中断请求,该位须软件清零.  
符号: KBD  
7
KBDEN  
地址: 96H  
6
-
5
-
4
-
3
-
2
-
1
0
Reset  
KBD.1 KBD.0  
00H  
KBI 去反弹使能位. 默认使能.  
KBDEN:  
KBDEN = 0, 使能去反弹功能. 去反弹时间于 KBD [1:0] 选择.  
KBDEN = 1, 禁能去反弹功能. KBI 输入口不需要去反弹机制.  
KBI 去反弹时间选择. KBDEN = “0”, 默认去反弹时间为 320 ms.  
KBD[1:0] = 00, 去反弹时间为 320 ms.  
KBD[1:0]:  
KBD[1:0] = 01, 去反弹时间为 160 ms.  
KBD[1:0] = 10, 去反弹时间为 80 ms.  
KBD[1:0] = 11, 去反弹时间为 40 ms.  
Specifications subject to change without notice contact your sales representatives for the most recent information.  
ISSFD-M066 Ver C SM39R16A3 04/20/2013  
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