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39R16A3 参数 Datasheet PDF下载

39R16A3图片预览
型号: 39R16A3
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内容描述: SM39R16A3是一个快速的单芯片8位微控制器内核,工作电压: 1.8V 〜 5.5V>高速1T架构,最高可达25MHz的> 1 〜8T模式可使用软件编程>指令设置兼容MCS- 51>内置22.1184MHz RC振荡器,及可程序化的分频器> 16KB字节的片上闪存程序存储器> 512B字节的标准的8052 RAM>SM39R16A3U20 , OB39R16A3U20 , [SM39R16A3是一个快速的单芯片8位微控制器内核,工作电压: 1.8V ~ 5.5V  高速1T 架构,最高可达25MHz  1~8T 模式可使用软件编程  指令设置兼容 MCS-51  内置22.1184MHz RC振荡器,及可程序化的分频器  16KB字节的片上闪存程序存储器  512B 字节的标准的8052 RAM SM39R16A3U20,OB39R16A3U20,]
分类和应用: 振荡器闪存存储微控制器
文件页数/大小: 86 页 / 2946 K
品牌: SYNCMOS [ SYNCMOS TECHNOLOGIES,INC ]
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SM39R16A3  
内嵌 16KB  
具有 ISP 功能的 Flash  
512B RAM 8 位控制器  
-
-
-
-
KBLS.3  
KBLS.2  
KBLS.1  
KBLS.0  
00h  
KBI3 电位选择位  
KBLS.3:  
KBLS.2:  
KBLS.1:  
KBLS.0:  
0 : 使能 KBI3 低电平检测.  
1 : 使能 KBI3 高电平检测.  
KBI2 电位选择位  
0 : 使能 KBI2 低电平检测.  
1 : 使能 KBI2 高电平检测.  
KBI1 电位选择位  
0 : 使能 KBI1 低电平检测.  
1 : 使能 KBI1 高电平检测.  
KBI0 电位选择位  
0 : 使能 KBI0 低电平检测.  
1 : 使能 KBI0 高电平检测.  
符号: KBE  
地址: 94h  
Reset  
6
7
-
5
-
4
-
3
2
1
0
-
KBE.3  
KBE.2  
KBE.1  
KBE.0  
00h  
KBI3 使能位  
KBE.3:  
KBE.2:  
KBE.1:  
KBE.0:  
0 : 使能标准 I/O .  
1 : 使能 KBF 寄存器中的 KBF.3 位产生一中断请求.  
KBI2 使能位  
0 : 使能标准 I/O .  
1 : 使能 KBF 寄存器中的 KBF.2 位产生一中断请求.  
KBI1 使能位  
0 : 使能标准 I/O .  
1 : 使能 KBF 寄存器中的 KBF.1 位产生一中断请求.  
KBI0 使能位  
0 : 使能标准 I/O .  
1 : 使能 KBF 寄存器中的 KBF.0 位产生一中断请求.  
符号: KBF  
地址: 95h  
Reset  
6
7
-
5
-
4
-
3
2
1
0
-
KBF.3  
KBF.2  
KBF.1  
KBF.0  
00h  
KBI3 标志位  
KBF.3:  
KBI3 检测到一编程水平线时,该位由硬件置位.  
KBE.3 同样被置位时将产生一个 KBI 中断请求,该位须软件清零.  
KBI2 标志位  
KBF.2:  
KBI2 检测到一编程水平线时,该位由硬件置位.  
Specifications subject to change without notice contact your sales representatives for the most recent information.  
ISSFD-M066 Ver C SM39R16A3 04/20/2013  
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