HV430
引脚说明
V
PP1
V
PP2
V
NN1
V
NN2
V
DD
SGND
保护地
P
IN
N
IN
启用
模式
正的高电压电源。
正栅极电压供给。通过内部线性稳压器产生。一个25V ， 100nF的电容应该是
连接V之间
PP2
和V
PP1
.
负高电压电源。
负门极电压供应。通过内部线性稳压器产生。一个25V ， 100nF的电容应该是
连接V之间
NN2
和V
NN1
.
逻辑电源电压。
低电压逻辑地。
高压电源地。
逻辑控制输入。当模式为高，逻辑输入高接通外部高电压P沟道MOSFET 。
内部拉低。
逻辑控制输入。当模式为高，逻辑输入高接通外部高电压N沟道MOSFET 。
内部拉低。
逻辑使能输入。逻辑高电平使IC 。内部拉低。
逻辑模式输入。 0 =单控; 1 =双控。当MODE为高电平，N
IN
和P
IN
独立控制无
OUT
和P
OUT
上。当MODE为低，N-
IN
控制以互补的方式两路输出。
（见真值表）
逻辑输出。故障为逻辑低电平时，无论是限流检测引脚，V
PSEN
或V
NSEN
被激活。遗体
活动状态，直到过电流条件清除或ENABLE = 0或RESET = 0 。
上电复位。连接在此引脚与地之间的电容决定了应用程序之间的延迟时间
V的
DD
及当该装置处于输出状态。低漏电钽建议。
该引脚与地之间的电阻值输出转换之间的“先开后合化妆的时间。适用
仅在单一的控制模式。对于最小死区时间，一个5.6kΩ电阻接地应采用。对于双输入
模式，连接到VDD 。
栅极驱动外部P沟道MOSFET 。
栅极驱动外部N沟道MOSFET 。
逐脉冲过电流检测为P沟道MOSFET 。
逐脉冲过电流检测的N沟道MOSFET 。
故障
RESET
死区
V
PGATE
V
NGATE
V
PSEN
V
NSEN
引脚配置
V
DD
故障
模式
P
IN
N
IN
启用
RESET
死区
SGND
保护地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
PP2
V
PP1
V
PSEN
V
PGATE
N / C
N / C
V
NGATE
V
NSEN
V
NN1
V
NN2
顶视图
SOW 20
12/13/010
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8
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