HV430
高压线圈发生器
订购信息
工作电压
V
PP1
-V
NN1
325V
封装选项
SOW-20
HV430WG
特点
❏
❏
❏
❏
❏
❏
❏
105Vrms振铃信号
输出过电流保护
5.0V CMOS逻辑控制
逻辑使能/禁用，以节省电力
在单一控制模式可调死区
上电复位
故障输出的检测问题
概述
该Supertex公司HV430是一种高电压的PWM发生器环
集成电路。高电压输出，V
PGATE
和V
NGATE
,
用于驱动外部高电压的P沟道的栅极
和N沟道MOSFET中的推挽配置。过度
电流保护是两个P沟道和N - 实施
沟道MOSFET。外部检测电阻器设定过电流
租触发点。
连接当复位输入功能作为一个上电复位
到一个外部电容。
FAULT输出指示过流条件，是
经过连续4个周期，无过流条件清除。
为逻辑低电平复位或启用清除故障输出。这是
低电平有效，漏极开路，以允许多个电线或运算
驱动程序。
P
门
和N
门
由逻辑输入P独立控制
IN
和
N
IN
当MODE引脚为逻辑高电平。在P逻辑高电平
IN
将转
在外部P沟道MOSFET 。同样，在为N的逻辑高
IN
将打开外部N沟道MOSFET 。锁定电路
防止同时打开的N和P的开关。
脉冲宽度限制器限制脉冲宽度不低于100〜
200ns.
+340V
+220V
+220V
-220V
-220V
+7.5V
-65 ° C至+ 150°C
600mW
对于应用中的单个控制输入是期望的，所述
MODE引脚应连接到SGND 。 PWM控制
信号被输入到N个
IN
引脚。 A的用户可调节死区
控制逻辑保证先开后合上作出的输出，
从而避免了交叉传导的高电压输出期间
切换。在N A逻辑高电平
IN
将关闭外部P沟道
MOSFET导通和N通道关闭，反之亦然。该IC可
可通过施加一个逻辑低电平上ENABLE引脚掉电，
把两个外部MOSFET处于关断状态。
应用
❏
❏
线路接入卡
机顶盒/箱街
绝对最大额定值
V
PP1
– V
NN1
，电源电压
V
PP1
，正高电压电源
V
PP2
，正栅极电压供给
V
NN1
负高电压电源
V
NN2
负门极电压供应
V
DD
，逻辑电源
储存温度
功耗
12/13/01
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