HV300DB1
HV300DB1示意图
+
48V
输入
VEE
R1
487KΩ
UV
R2
9.09KΩ
OV
R3
9.09KΩ
VEE斜坡
CRAMP
10nF
RSENSE
0.05Ω
SENSE门
J1
M1
IRFR120N
VDD
+
48V
产量
VDD
PWRGD
PG
CLOAD
100µF
HV300LG
-
VEE
漏
-
材料的HV300DB1演示板草案
代号
J1
R1
R2
R3
R
SENSE
C
坡道
C
负载
M1
HV300
描述
跳线
厚膜贴片电阻
厚膜贴片电阻
厚膜贴片电阻
厚膜贴片电阻
陶瓷贴片电容， X7R
电解电容
N沟道MOSFET
热插拔IC
487K
9.09K
9.09K
0.05
值/等级
--
± 1%
± 1%
± 1%
± 1%
包
--
0805
0805
0805
1206
0805
--
DPAK
SO-8
产品型号
--
ERJ6ENF487K
ERJ6ENF9.09K
ERJ6ENF9.09K
WSL1206-.05
ECJ-2VB1H103K
ECA-2CHG101
IRFR120N
HV300LG
松下
松下
松下
戴尔
松下
松下
国际整流器器
Supertex公司公司。
生产厂家
--
10nF电容， 50V
100μF ， 160V
100V, 0.21
90V
HV300典型波形
注意事项：
1） HV300DB1有些版本可能包括一个10nF的
从集成电路电容器销5-6 （ MOSFET的栅极到源极） 。
这个电容器是用来消除振铃的结束
浪涌期间。
2）电流可以用电流探针上的Vdd的测定
线。由负载汲取的电流可以通过测量
用一个小电阻替换J1和测量电压
下降。可替换地，电流探头可以被取代
J1与导线环。
3 ） PG是漏极开路输出，不会有任何影响，如果探测
没有上拉。
4.栅极响应的双重高原特征是
对Supertex公司的闭环热插拔解决方案预期的结果。
栅极的电压陡峭的跳跃在MOSFET后，会发生
是充分的，并且指示在该集成电路进入点
睡眠模式（ PG高点） 。
漏
50V/div
V
IN
50V/div
门
5.00V/div
I
侵入
500mA/div
5.00ms/div
05/16/01
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PB
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