HV300DB1
HV300DB1
HV300热插拔演示板
介绍
该HV300DB1演示板包含了所有的电路
要安全地热插拔-48V外围到现场
背板。的电解电容器， C负载模拟输入
一个直流 - 直流转换器的滤波电容。 CLOAD应
如果实际的直流 - 直流转换器被用作去除
负载。
特定网络阳离子
输入电压范围
欠压锁定
过压闭锁
最大连续负载电流
开关导通电阻
电流检测电阻
35V至65V
35V
65V
1.7A
0.21Ω
0.05Ω
板布局和连接
VDD
VDD
68kΩ
48V
PG
漏
VEE
负载
可选
V
DD
输入和输出
V
DD
是电源的正极端子。它也被连接
给输出负载。电阻器R1， R2和R3被选择为
允许35V至65V的工作输入范围。该HV300LG
是能工作在90V的。
从V电阻连接
DD
给PG是可以接受的。通常情况下PG
将连接到一个使能输入上的直流 - 直流转换器
电源。
UV和OV测试点
在这些测试点电压设置欠压和过
电压值。这些测试点可探测检查
分压值由R1 ，R2和R3设置的。窗口
1.21V左右比较名义上的作品与100mV的
滞后。
V
EE
输入
V形是负电源端。 MOSFET ， M1是
用于连接和断开V
EE
到漏极输出。
漏极开路输出
这是负极侧的输出负载。 V
EE
连接
通过MOSFET M1这个引脚通过HV300LG控制。
坡道测试点
该测试点提供对斜坡电容器的正
终端，它被用来编程的热交换定时信息。
PG测试点
PG为电源良好（PWRGD ）测试点，这是一个开放的
漏极N沟道MOSFET用“OK”高逻辑。外部上拉
电阻应该连接到该点。 PG能承受
拉起高达90V的电压。要检查PG操作，
门测试点
这是在MOS场效应管M1的栅极电压。该HV300LG
通过控制其栅极信息调制该电阻M1 。这
测试点允许检查栅极电压。
05/16/01
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