HV100/HV101
自动重试
不仅在HV100和HV101提供短路亲
tection在一个3引脚封装，还包括内置了2.5秒
自动重启定时器。在HV100和HV101将持续
尝试打开系统每2.5秒时，提供苏夫网络cient时间
为导通元件的每次尝试后降温。
上述所有的都是可能的，也可扩展的最小数量
外部元件。
i)
以调整浪涌电流与外部元件
只需连接一个电容（C
FB
）从漏极到栅极
MOSFET。浪涌计算就变成了：
I
突（ PEAK ）
= (C
FB
+ C
国际空间站
)/(C
RSS
+ C
FB
） * 2.5e3 * C
负载
注意，电阻器（约10KΩ ）需要
加在串联使用C
FB
在反馈创建一个零
环和限制杂散导通现在被增强
由较大的分离元件。
为了提高欠压闭锁只需连接一个齐纳
在一系列与V二极管
PP
引脚。
ii)
ⅲ）如果在V
PP
上升特别快（ >48e6V / s）的话，就可能
理想的是由栅极连接的电容器 - 源
MOSFET的，以提供用于功率应用的路径
化瞬间秒杀，也就是现在的太快内部
夹紧机构。
计算浪涌电流
如可以看到图中的下方，为一标准通
元件，所述HV100和HV101将归一热交换
时间周期对负载电容。由于这个原因，
电流限制将随着负载的增加值增加
电容。
浪涌可从下式计算：
I
突（ PEAK ）
= (C
国际空间站
/ C
RSS
） * 2.5e3 * C
负载
这是一个令人惊讶的结果是一致的，因为对于大多数MOS-
的一个特定的FET类型C的比例
国际空间站
/ C
RSS
比较
常数（尽管通知的情节，有一些杂物 -
灰），即使在这些和其他quanti-绝对值
关系各不相同。在此基础上，所述浪涌电流而变化，主要
用C
负载
。这使得设计与HV100和HV101
尤其是容易的，因为一旦导通元件选择，
周期是固定的连接和浪涌用C变化
负载
只。
ⅳ）如果要限制峰值电流在短路期间，电阻器
串联在MOSFET的源极可能有帮助。
实施PWRGD控制
由于HV100和HV101的占地面积小，可以
创建使用外部的COM一个开漏PWRGD信号
ponents ，仍然保持了尺寸最小的可比性
其他可用的热插拔控制器。要做到这一点的
外部MOSFET可以结合使用与栅
输出。简单地使用高阻抗分压（ 10MΩ ）大小
这样的开漏PWRGD MOSFET的阈值将只
一旦HV100 / HV101的栅极电压升高以及达成
上述由外部MOSFET所需的电流限制值
传设备。可选择地，栅极之间的齐纳二极管
输出和PWRGD MOSFET栅极设定成高的电压
小于最大导通元件V
t
还将努力。
编程HV100和HV101
在HV100和HV101无需外部元件等
比一个导通元件，以提供所描述的功能
迄今。在一些应用中使用的外部可能是有用
部件来调节最大允许浪涌电流，
调整欠压锁定，或者提供额外的栅极钳位如果
电源电压低于1ms的上升时间。
HV100
PWGRD
6
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
