HV100/HV101
功能说明
插入背板热卖
电信，数据网络和某些计算机应用
要求从插入和取出电路板的能力
系统没有整个系统断电。由于所有
电路卡对电源轨的一些滤波器电容，
这是在电路卡或网络终端更是如此
利用分布式电源系统设备，插入
会导致高的浪涌电流，可能会导致损坏
连接器和电路卡，并可能导致不可接受的
干扰对系统背板电源轨。
在HV100和HV101的设计，以方便插入
和除去这些电路卡或终端的连接
设备通过消除这些浪涌电流和供电
向上充满连接器之后，这些电路以可控的方式
插入已经实现。在HV100和HV101是
为了提供这种控制功能的支持负面
层轨道。
一个完整的POR期间， MOSFET的栅极结束后自动 -
适应操作开始。参考电流源关
在其上开始一个内部电容器产生电荷
斜坡电压上升为2.5 V / μs的压摆率。这
参考压摆率用于通过闭环系统来gen-
受这个门的输出电流以驱动外部的栅极
N沟道MOSFET与一个压摆率的为参考相匹配
ENCE压摆率。前栅极相交的基准电压，
这远低于在V
TH
行业标准的MOSFET ，
的上拉电流值被存储和自动适应环
被打开。此存储的上拉电流值被用来驱动
在热插拔期间的剩余时间内的门。该
结果是一个用C正常化
国际空间站
，这对于大多数的MOSFET
秤用C
RSS
.
MOSFET的栅极进行充电的电流源，直到它
到达反过来阈值，并开始向负载充电
电容。在这一点上的密勒效应的发生导致
有效电容寻找到门上升，
电流源的栅极充电会有影响不大
栅极电压。栅极电压基本上保持CON-
不变直到输出电容充满电。这一点
在MOSFET的栅极上的电压继续升高到
电压电平，保证全面开启MOSFET的。
它将保持在全开状态，直到下一个电压输入
检测条件。
如果电路试图打开到负载短路，则
米勒效应不会发生。栅极电压将继续上升
基本上以相同的速率作为基准斜坡指示
该短路存在。这是由控制电路检测到的
和结果在关断MOSFET发起2.5秒
延迟，然后将一个正常的再启动尝试。
如果在过程中的启动周期或后，输入任何时候
电压低于欠压阈值的GATE输出意志
被拉低到V
NN
以关断的N沟道MOSFET
和所有内部电路复位。一个正常的重启顺序
一旦输入电压上升高于UVLO将启动
阈值与迟滞。
操作描述
在初始功率应用的高输入电压的内部
调节的目的是提供一个稳压电源的内部
电路。直到适当的内部电压达到所有电路
被保持的复位，由内部的UVLO和栅极到源极
外部N沟道MOSFET的电压被保持关闭。一旦
内部稳压器电压超过UVLO门限，
输入欠压检测电路（ UV）检测输入
电压精读网络RM ，这是上面的内部编程
门槛。如果在任何时间在输入电压下降的紫外以下
阈值，所有的内部电路被复位，在GATE输出
被拉低到V
NN
。 UVLO检测协同工作
具有约3.5ms上电复位（ POR）时计时器到
克服触点颤动。一旦UVLO是SATIS网络版，该
门被裁定为V
NN
直到上电复位定时器到期。如若UV
监控切换上电复位定时器超时前，上电复位定时器
将被复位。这个过程将在每个时间的UVLO重复
是SATIS科幻版，直到一个完整的POR期间已经实现。
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