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DN2530N8-G 参数 Datasheet PDF下载

DN2530N8-G图片预览
型号: DN2530N8-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 6 页 / 480 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN2530
典型性能曲线(续)
BV
DSS
随温度的变化
1.1
50
导通电阻与漏电流
V
GS
= -5V
1.05
BV
DSS
(归一化)
I
D
= 100毫安
40
V
GS
= 0V
1.0
R
DS ( ON)
(欧姆)
-50
0
50
100
150
30
0.95
20
0.9
10
0.85
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
j
(°C)
1.0
I
D
(安培)
V
GS
(关)和R
DS
随温度的变化
2.5
传输特性
0.8
V
DS
= 10V
T
A
= -55°C
2
0.6
V
GS ( TH)
(归一化)
I
D
(安培)
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
R
DS ( ON)
@ ID = 150毫安
1.5
0.4
1
V
GS ( OFF )
@ 10毫安
0.5
0.2
0
-2
-1
0
1
2
0
-50
0
50
100
150
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
200
V
GS
= -10V
C
国际空间站
15
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
150
10
V
DS
= 40V
5
V
DS
= 20V
250pF
0
C(皮法)
100
50
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
GS
(伏)
152pf
-5
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
Q
C
( nanocoulombs )
4