DN2530
N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
特点
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高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
该DN2530是一个低阈值耗尽模式(常开)
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构,
Supertex公司的成熟的硅栅制造工艺。
这种结合产生了一种装置,具有功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点,
设备是无热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压,高输入阻抗,低输入
电容,和快速的开关速度是期望的。
应用
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常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
300V
R
DS ( ON)
(最大)
12Ω
I
DSS
(分钟)
200mA
封装选项
TO-243AA
1
DN2530N8
DN2530N8-G
TO-92
DN2530N3
DN2530N3-G
-G表示封装,符合RoHS标准( “绿色” )
1
同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
销刀豆网络gurations
D
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下, 10秒的距离。
S摹ð
G
D
S
TO-92
(前视图)
TO-243AA
( TOP VIEW )